晶圓表面制備分析

時間：2023-06-08作者：英格爾檢測技術(shù)服務(wù)（上海）有限公司瀏覽：54

在半導(dǎo)體行業(yè)內(nèi)，成功生產(chǎn)出表面平整的晶圓并不意味著VPD晶圓制備流程的完結(jié)。晶圓之后的加工與表面分析，是影響產(chǎn)品正常運(yùn)作的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。英格爾*組表示，化學(xué)式機(jī)械拋光是當(dāng)前大直徑晶圓制造技術(shù)之一。英格爾檢測可幫助企業(yè)完善晶圓制造工藝，利用化學(xué)機(jī)械平坦化技術(shù)，解決新層平面問題。

 （1）英格爾檢測分析——化學(xué)機(jī)械拋光

較終的拋光步驟是一個化學(xué)腐蝕和機(jī)械摩擦的結(jié)合，被稱為化學(xué)機(jī)械拋光。晶圓裝在旋轉(zhuǎn)的拋光頭上，下降到拋光墊的表面以相反的方向旋轉(zhuǎn)。拋光墊材料通常是有填充物的聚亞安酯鑄件切片或聚氨酯涂層的無紡布。二氧化硅拋光液在適度含氫氧化鉀或氨水的腐蝕液中，滴到拋光墊上。

堿性拋光液在晶圓表面生成一薄層二氧化硅。拋光墊以持續(xù)的機(jī)械摩擦作用去除氧化物，晶圓表面的高點(diǎn)被去除掉，直到獲得特別平整的平面。

英格爾*假設(shè)：如果一個半導(dǎo)體晶圓的表面擴(kuò)大到10000英尺，在總長度中將會有正負(fù)2英寸的平整度偏差。獲得較好平整度需要規(guī)定和控制拋光時間、晶圓和拋光墊上的壓力、旋轉(zhuǎn)速度、拋光液顆粒尺寸、拋光液流速、拋光液的pH值、拋光墊材料和條件。

（2）英格爾檢測分析——背面處理

對于晶圓制造來說在很多情況下，只是晶圓的正面經(jīng)過充分的化學(xué)機(jī)械拋光。背面留下從粗糙或腐蝕到光亮的外觀。對于某些器件的使用，背面可能會受到特殊的處理導(dǎo)致晶體缺陷，稱為背損傷。背損傷產(chǎn)生位錯的生長輻射進(jìn)入晶圓，這些位錯現(xiàn)象是陷阱，俘獲在制造工藝中引入的可移動金屬離子污染。

不論是俘虜吸雜現(xiàn)象，還是雙面拋光技術(shù)。對于VPD晶圓制備企業(yè)而言，英格爾檢測可提供一站式VPD晶圓表面分析技術(shù)，如背面噴沙標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)、背面多晶層或氮化硅的沉積等。不過在這些應(yīng)用技術(shù)中后期需使用無劃傷與不污染背面操作。詳情可點(diǎn)擊英格爾檢測官方網(wǎng)站，進(jìn)行*一對*上咨詢。

 

 

 


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