vpd硅晶圓金屬污染英格爾監(jiān)測(cè)

時(shí)間：2023-06-15作者：英格爾檢測(cè)技術(shù)服務(wù)（上海）有限公司瀏覽：132

當(dāng)前國(guó)內(nèi)市場(chǎng)中vpd晶圓金屬污染分析技術(shù)的掌握，對(duì)于整個(gè)行業(yè)而言十分重要。如何在擺脫國(guó)外技術(shù)依賴的同時(shí)，為企業(yè)提供完善準(zhǔn)確的分析數(shù)據(jù)與服務(wù)。英格爾檢測(cè)深耕硅晶圓金屬分析行業(yè)多年，常用的表面污染分析監(jiān)測(cè)技術(shù)有VPD-ICP-MS與TXRF。英格爾通過數(shù)據(jù)整合，將展示國(guó)內(nèi)外相關(guān)的的硅晶圓金屬污染監(jiān)測(cè)能力和方案。



英格爾硅晶圓金屬污染監(jiān)測(cè)常用的分析技術(shù)是和VPD-ICP-MS。英格爾根據(jù)儀器類型、分析方法等實(shí)際情況，制定了相應(yīng)的硅晶圓金屬污染監(jiān)測(cè)方案。

硅晶圓金屬污染監(jiān)測(cè)方案

英格爾TXRF與VPD-ICP-MS檢測(cè)下限比較

TXRF是高通量分析的理想選擇，因其測(cè)量原理基于電子束與硅晶圓表面的相互作用，*任何化學(xué)前處理。該技術(shù)允許在自動(dòng)模式下快速分析常規(guī)元素和貴金屬元素，并可使用映射（mapping）功能定位晶圓表面的局部污染。然而TXRF的檢測(cè)下限（Low limit detection，LLD）較高，約1E9~1E11 atoms/cm2。

 

TXRF的檢測(cè)下限比較

不過VPD-ICP-MS的檢測(cè)下限差別較大。由于VPD技術(shù)基于化學(xué)原理且技術(shù)路線不同，ICP-MS檢測(cè)下限計(jì)算方法也不相同（表2）。

英格爾VPD-ICP-MS 技術(shù)細(xì)節(jié)及檢測(cè)下限測(cè)定

顯示VPD-ICP-MS的檢測(cè)下限在1E6~5E9 atoms/cm2，比TXRF要低的多。不過VPD-ICP-MS檢測(cè)下限受到技術(shù)細(xì)節(jié)和實(shí)驗(yàn)環(huán)境差異影響。操作人員必須將裝有掃描液的瓶子手工轉(zhuǎn)移至ICP-MS/MS（Agilent），且樣品瓶在收集前需人工清洗，以上步驟都會(huì)導(dǎo)致Na，Mg和Ca污染可能性增加。潔凈室確保易沾污元素的檢測(cè)下限仍**1E10 atoms/cm2，若能夠使用全自動(dòng)VPD則檢測(cè)下限還會(huì)有所改善。

 

VPD-ICP-MS的檢測(cè)下限比較（表面） 

關(guān)于VPD金屬污染，英格爾檢測(cè)將進(jìn)行專業(yè)的技術(shù)分析。首先硅晶圓表面污染技術(shù)VPD-ICP-MS，英格爾通過多種化學(xué)溶液進(jìn)行貴金屬元素與晶圓常規(guī)元素，進(jìn)行無(wú)映射功能。英格爾VPD硅片晶圓表面污染技術(shù)可幫助企業(yè)進(jìn)行元素提高了解下限，通過專業(yè)手段檢測(cè)分析元素的較低濃度，同時(shí)將金屬污染控制到關(guān)鍵的低濃度水平，為企業(yè)提供一站式vpd硅晶圓金屬污染檢測(cè)服務(wù)。


英格爾檢測(cè)技術(shù)服務(wù)（上海）有限公司專注于ISO9001認(rèn)證,電子芯片檢測(cè),塑料檢測(cè),橡膠檢測(cè),涂料檢測(cè),化妝品檢測(cè),材料檢測(cè),化學(xué)品成分分析等, 歡迎致電 15800989628

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