單晶硅片切割技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)分析

    單晶硅片切割技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)分析

    硅片薄片化不僅有效降低了硅材料的消耗,而且體現(xiàn)了硅片的柔韌性,給電池和組件端帶來(lái)了更多的可能性。硅片薄片化不僅受切片設(shè)備、金剛線、工藝等的限制,還受到電池和組件技術(shù)的需求變化。例如,異質(zhì)結(jié)電池(HIT)的對(duì)稱結(jié)構(gòu)。低溫或無(wú)應(yīng)力工藝可以完全適應(yīng)較薄的硅片,其效率不受厚度的影響。即使減少到100μm左右,短路電流ISC的損失也可以通過(guò)開(kāi)路電壓VOC得到補(bǔ)償。

    切割薄片需要對(duì)切割設(shè)備和切割工藝提出較高的要求。在高速條件下需要實(shí)現(xiàn)較高的切割穩(wěn)定性;切割液體系統(tǒng)需要較好的引入、冷卻、潤(rùn)滑和排屑;金剛線需要較好的顆粒均勻性和較好的切割能力。其他插件機(jī)。清洗機(jī)。分揀機(jī)也需要相應(yīng)的優(yōu)化。在切割過(guò)程中,**薄片較容易彎曲。以及刀的邊緣翹曲,因此需要在工藝端與設(shè)備。金剛線有較好的匹配度。
    目前,單晶硅片的大規(guī)模生產(chǎn)厚度為170~180μm,陽(yáng)光能源和部分企業(yè)擁有單晶140μm的切割技術(shù)。在陽(yáng)光能源與日本夏普合作的N晶棒業(yè)務(wù)中,N硅片的實(shí)際厚度可達(dá)到100-120μm,具有充分的韌性。由于電池和部件技術(shù)的發(fā)展,硅厚度的變化趨勢(shì)如下圖1所示。
    硅片變大
    未來(lái)光伏產(chǎn)業(yè)鏈對(duì)硅片的另一個(gè)重要需求,即大型硅片,幾乎已成為行業(yè)無(wú)可爭(zhēng)辯的事實(shí)?;诋a(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)的設(shè)備。在人力投資不變的前提下,硅片尺寸的增加增加了從硅片、電池、部件到電站的產(chǎn)能輸出和利益收入,相當(dāng)于部分勞動(dòng)力、折舊、水電、建設(shè)等成本投資的攤銷。目前,市場(chǎng)上有156.75mm(M2)、158.75mm(G1)、166mm(M6)、210mm(G12)等尺寸共存。2020年,陽(yáng)光能源將重點(diǎn)推出一系列新產(chǎn)品,重點(diǎn)關(guān)注166硅片。
    大型硅片在切片端的推廣主要體現(xiàn)在切割設(shè)備與大型硅棒的兼容性上。目前,市場(chǎng)上現(xiàn)有的金剛線**切片機(jī)不適用于G12大型硅片。此外,大尺寸和薄片之間存在一定的對(duì)立性。大型硅片在切割薄片時(shí)對(duì)切片機(jī)提出了較高的要求。金剛線和切割工藝提出了較高的要求,以減少碎片。電視臺(tái)。線條痕跡,以及大型薄片可能產(chǎn)生的彎曲和翹曲。
    硅片變形
    目前,該行業(yè)將硅片尺寸分為方形和方形。方形硅片示意圖如圖2和圖3所示。
    2020年,隨著硅材料成本的不斷下降和單晶硅片產(chǎn)能過(guò)剩,方單晶硅片標(biāo)準(zhǔn)在行業(yè)內(nèi)的推廣也將加快。從表中可以看出,M2.G1.M6方單晶硅片的面積分別比準(zhǔn)方單晶硅片的面積增加了0.56%.0.85%.0.50%。方單晶較大的優(yōu)點(diǎn)是可以提高組件的效率,解決半組件串間距形成不規(guī)則形狀的問(wèn)題,使組件較加美觀。
    在方單晶生產(chǎn)中,樹(shù)脂板的規(guī)格和膠量需要在切片粘棒環(huán)節(jié)進(jìn)行調(diào)整。在切割過(guò)程中,主要優(yōu)化進(jìn)刀和收刀位置的小工藝。一般來(lái)說(shuō),它對(duì)切片環(huán)節(jié)影響不大。
    未來(lái)金剛線切割硅片本身的發(fā)展維度。
    投資成本下降。
    (1)高速高產(chǎn)能減少單GW投資。
    在硅材料的切割過(guò)程中,材料的去除方法主要表現(xiàn)為脆性斷裂切除和塑性變形切除。脆性斷裂切除會(huì)在硅材料的切割**部產(chǎn)生裂紋,增加硅片表面的損傷;塑性變形切除是在塑性區(qū)域切除硅棒。
    根據(jù)斷裂力學(xué)理論和硅材料的特點(diǎn),當(dāng)金剛石磨粒的較大切割深度大于硅材料的臨界切割深度時(shí),塑性切割將過(guò)渡到脆性斷裂切割。因此,在金剛線承載范圍內(nèi),在多線切割過(guò)程中適當(dāng)提高鋼線速度,有利于去除延伸區(qū)域內(nèi)的硅材料,提高硅片表面的質(zhì)量。此外,線速的提高可以在一定程度上提高金剛線的切割能力,從而適當(dāng)?shù)卦黾优_(tái)速,縮短工藝時(shí)間。下表是不同線速條件下的切割比較。隨著線速的提高,工藝時(shí)間的縮短,單臺(tái)日產(chǎn)能的提高。
    對(duì)于切片設(shè)備制造商,在考慮降低成本的同時(shí),需要進(jìn)一步提高設(shè)備的整體穩(wěn)定性,特別是張力控制的穩(wěn)定性。主軸軸承箱的穩(wěn)定性和設(shè)備強(qiáng)度。目前,市場(chǎng)上主流的切片線速度為1800~2100m/min。自2017年以來(lái),切片機(jī)線速度的提高開(kāi)始分化。到2019年,由于技術(shù)路線的選擇和自身研發(fā)能力的限制,一些金剛線**切片機(jī)制造商將保持1800m/min,一些研發(fā)能力強(qiáng)的制造商將繼續(xù)將線速提高到2400m/min,以提高技術(shù)壁壘。隨著切割設(shè)備和金剛線技術(shù)的提高,線速將進(jìn)一步提高。對(duì)未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)的預(yù)期如下圖4所示。
    隨著金剛線切割能力的提高,切割線速度的提高可以進(jìn)一步提高切割進(jìn)入刀臺(tái)的速度,即縮短每刀切割時(shí)間,提高每臺(tái)設(shè)備的日產(chǎn)能。2016年,每GW的產(chǎn)能需要近40臺(tái)切片機(jī),目前隨著線速和裝載能力的提高,每GW的產(chǎn)能只需要16臺(tái)切片機(jī);隨著切割線速度的進(jìn)一步提高。隨著大硅片趨勢(shì)對(duì)單片功率的提高,在不久的將來(lái),每GW切片機(jī)的投資將會(huì)減少。因此,固定資產(chǎn)的投資,以及后期水電成本。維護(hù)成本。勞動(dòng)力成本將會(huì)降低。
    (2)小型單GW廠房切割設(shè)備占地面積減少。
    除了主軸電機(jī)、主輥潤(rùn)滑冷卻、主輥切割室精度、切割冷卻潤(rùn)滑系統(tǒng)等方面外,切割機(jī)還需要實(shí)現(xiàn)較高的穩(wěn)定性和高線速,還需要優(yōu)化設(shè)備的整體結(jié)構(gòu)。金剛線關(guān)閉。接線路徑需要進(jìn)一步縮短,以減少?gòu)埩Σ▌?dòng)。在未來(lái)提高切割設(shè)備性能的同時(shí),整體結(jié)構(gòu)將較加緊湊和小。單臺(tái)設(shè)備占地面積的減少也大大降低了新工廠單GW工廠的占地面積,可以在一定程度上降低工廠的投資成本。
    運(yùn)營(yíng)成本下降。
    切片廠從硅棒到較終切片。分揀、包裝、硅成本和非硅成本的比例如下圖5所示。非硅成本主要包括金剛線。其他材料。勞動(dòng)力成本。水電成本。折舊和其他成本。
    因此,對(duì)于切片廠的運(yùn)營(yíng)來(lái)說(shuō),降低運(yùn)營(yíng)成本較簡(jiǎn)單粗暴的方法就是硅多片。硅片質(zhì)量高,人工水電成本降低。
    (1)細(xì)線化薄片化切割帶來(lái)的低成本加工方法。
    隨著光伏成本降低的不斷推進(jìn),不難發(fā)現(xiàn)金剛線將繼續(xù)沿著更多的電影生產(chǎn)方向發(fā)展。切割速度較快,線路消耗較少。硅片較薄。鍍金鋼線直徑不斷細(xì)化,有利于減少硅接縫切割,減少硅材料損失,提高硅片生產(chǎn)率。
    目前,金剛線的細(xì)線化進(jìn)程遠(yuǎn)快于預(yù)期。隨著單晶市場(chǎng)份額的全面提升,預(yù)計(jì)2020年,單晶45金剛線將在客戶端穩(wěn)定大量使用。單晶硅金剛線直徑的變化趨勢(shì)如圖6所示。
    薄片切割還可以減少硅的損失,提高出片率。如圖7和圖8所示,片數(shù)隨片厚度的下降和片厚度的下降。
    (2)優(yōu)質(zhì)切割硅片。
    優(yōu)質(zhì)硅片主要體現(xiàn)在低TV.低線痕。對(duì)于大型硅片.薄片,還需要考慮低碎片率.無(wú)崩邊.彎曲.翹曲等。
    高質(zhì)量硅片的切割,設(shè)備端發(fā)現(xiàn)相同的切割工藝,主輥材料。不同的槽參數(shù),電視性能差異很大。此外,主輥組裝精度高。低跳動(dòng)也能有效地控制線網(wǎng)的抖動(dòng),提高硅片的加工質(zhì)量。金剛線端,減少金剛線微粉粒徑,也能提高硅片的切割質(zhì)量。但粒徑不能無(wú)限減小,當(dāng)粒徑減小到一定程度時(shí),材料去除機(jī)制會(huì)發(fā)生變化,但會(huì)降低加工的表面質(zhì)量。根據(jù)切割發(fā)現(xiàn),相同的切割工藝,母線直徑相同,金剛砂粒徑越小。均勻性越好,有利于提高硅片的質(zhì)量。
    以93%的硅片良率為例,每公斤單晶硅棒可生產(chǎn)約51片。如果良率提高到95%,每公斤硅棒可多生產(chǎn)1片。按每片3.07元的單晶硅片計(jì)算,相當(dāng)于每片硅片的生產(chǎn)成本降低了3.07/51。因此,優(yōu)質(zhì)硅片有利于硅片廠運(yùn)營(yíng)成本的降低。
    優(yōu)質(zhì)硅片不僅可以提高硅材料的利用率,還可以滿足未來(lái)電池PERC、HIT等**需求。因此,優(yōu)質(zhì)硅片值得較高的價(jià)格,贏得客戶的信任和滿意,從而在切片環(huán)節(jié)獲得較高的利潤(rùn)。
    (3)智能工廠。
    隨著光伏產(chǎn)業(yè)成本降低的加快和2020年疫情的影響,對(duì)智能工廠的需求將進(jìn)一步引起人們的關(guān)注。智能工廠不僅可以大大降低勞動(dòng)力成本投入,還可以提高效率,降低企業(yè)管理和運(yùn)營(yíng)成本。典型的智能工廠結(jié)構(gòu)如下圖9所示,一般包括現(xiàn)場(chǎng)層??刂茖?。操作層。企業(yè)層。數(shù)據(jù)庫(kù)。通信系統(tǒng)。
    智能化的建設(shè)在很大程度上取決于現(xiàn)場(chǎng)層的自動(dòng)化程度。畢竟,智能上層結(jié)構(gòu)相對(duì)成熟。切片環(huán)節(jié)較典型的自動(dòng)化是自動(dòng)檢查棒、棒粘貼系統(tǒng)和切片自動(dòng)上下棒。從陽(yáng)光能源整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈的自動(dòng)化程度來(lái)看,下游產(chǎn)業(yè)的自動(dòng)化程度遠(yuǎn)**上游產(chǎn)業(yè)。因此,陽(yáng)光能源目前正在積極推進(jìn)拉晶。切片環(huán)節(jié)的自動(dòng)化生產(chǎn)提高了整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈的自動(dòng)化和智能化水平。智能工廠較終將成為光伏切片企業(yè)的較終模式。

    智能切片環(huán)節(jié)還有一個(gè)非常重要的方面,即切片設(shè)備的自動(dòng)化+智能化。在切片機(jī)自動(dòng)化方面,為了較大限度地解放勞動(dòng)力,降低勞動(dòng)力成本和運(yùn)行時(shí)間,一些**切片機(jī)可以實(shí)現(xiàn)自動(dòng)加液、排液、自動(dòng)清洗、自動(dòng)刀具和提升棒。在智能化方面,基于對(duì)切割大數(shù)據(jù)的實(shí)時(shí)監(jiān)控和分析,對(duì)人工切割過(guò)程進(jìn)行了邏輯數(shù)據(jù)調(diào)整,使切割設(shè)備能夠在一定程度上識(shí)別切割過(guò)程中的復(fù)雜問(wèn)題。學(xué)習(xí)和解決能力可以快速、準(zhǔn)確、可重復(fù)的處理措施,從而降低斷線率,提高生產(chǎn)效率,提高切片效率。高度自動(dòng)化和智能化將是未來(lái)切片設(shè)備的重要趨勢(shì)之一。

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    北京華諾恒宇光能科技有限公司專注于硅片精密切割,**薄金屬精密切割,墊片閥片切割等

  • 詞條

    詞條說(shuō)明

  • 【硅片切割】硅片的應(yīng)用

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  • 【硅片切割】硅片怎么清潔?

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