漢龍雙興耐磨焊絲合金理想的化學(xué)配比

時間：2020-01-05作者：清河縣漢龍焊接材料有限公司瀏覽：113

漢龍雙興耐磨焊絲合金理想的化學(xué)配比

     漢龍雙興耐磨焊絲合金的合成主要存在以下幾個問題：漢龍雙興耐磨焊絲合金成核和生長機理尚不清楚。附著力差。難以達到理想的化學(xué)配比。立方相上的界面層和立方相層與襯底之間都有一薄層sp~2鍵合的氮化硼。影響了其在超硬涂層材料和電子學(xué)領(lǐng)域的應(yīng)用。目前用各種方法生長的立方氮化硼薄膜中，立方相的晶粒尺寸很小，一般只有幾十納米，使其應(yīng)用受到很大限制。 使用射頻磁控濺射(RFMS)方法，在鉬襯底和鎳錳鈷襯底上通過改變吉林大學(xué)碩士學(xué)位論文了沉積參數(shù)沉積了一系列氮化硼薄膜。
       采用射頻濺射沉積(RF Sputtering)，離子束輔助沉積(IBAD)，離子鍍(Ion Plating)，激光蒸鍍(PLD)，等離子體輔助化學(xué)氣相沉積(PACVD)等各種物理和化學(xué)氣相沉積方法，在真空條件下獲得了c-BN或含c-BN相的膜。傅立葉變換紅外光譜(FTIR)表明，所獲得的薄膜結(jié)構(gòu)一致，均為六角氮化硼薄膜。濺射功率、襯底偏壓、沉積氣壓，各種氣體的含量、襯底溫度和沉積時間等實驗參數(shù)均對薄膜的生長有一定影響。漢龍雙興耐磨焊絲合金系統(tǒng)的實驗結(jié)果表明，沉積氮化硼薄膜較好的條件為。
       襯底偏壓，50V，濺射功率150W，沉積時間1加min，沉積氣壓4Pa，氮氣含量50%，襯底溫度500℃。從射頻磁控濺射實驗的結(jié)果來看，沉積在漢龍雙興耐磨焊絲合金襯底上的氮化硼薄膜。采用磁控弧光增強等離子體化學(xué)氣相沉積(MA一PECVD)方法制備氮化硼薄膜，沉積氣壓為50~100Pa，N/B流量比為25:l和50:l，襯底射頻偏壓由OV變化至一150V，襯底溫度為900℃，沉積時間為10~30min。經(jīng)傅立葉變換紅外光譜(FTIR)分析，在10A放電電流條件下，得到的薄膜結(jié)構(gòu)均為六角氮化硼(h一BN)。

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