整流橋原理及其檢測方法
整流橋原理
整流橋堆一般用在全波整流電路中,它又分為全橋與半橋,全橋是由4只整流二極管按橋式全波整流電路的形式連接并封裝為一體構(gòu)成的。
全橋的正向電流有0.5A、1A、1.5A、2A、2.5A、3A、5A、10A、20A、35A、50A等多種規(guī)格,耐壓值(較高反向電壓)有25V、50V、100V、200V、300V、400V、500V、600V、800V、1000V等多種規(guī)格。
選擇整流橋要考慮整流電路和工作電壓。整流橋堆一般用在全波整流電路中,它又分為全橋與半橋。
整流橋結(jié)構(gòu)
整流橋通常是由兩只或四只整流硅芯片作橋式連接,兩只的為半橋,四只的則稱全橋。外部采用絕緣塑料封裝而成,大功率整流橋在絕緣層外添加鋅金屬殼包封,增強散熱性能。
整流橋檢測方法
(1)如果正極性和負極性直流輸出電壓都不正常時,可以不必檢查整流二極管,而是檢測電源變壓器,因為幾只整流二極管同時出現(xiàn)相同故障的可能性較小。
(2)對于某一組整流電路出現(xiàn)故障時,可按**介紹的故障檢測方法進行檢查。這一電路中整流二極管中的二極管VD1和VD3、VD2和VD4是直流電路并聯(lián)的,進行在路檢測時會相互影響,所以準確的檢測應(yīng)該將二極管脫開電路。
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詞條
詞條說明
? ? ? 可控硅模塊通常被稱之為功率半導(dǎo)體模塊(semiconductor module)。較早是在1970年率先將模塊原理引入電力電子技術(shù)領(lǐng)域,是采用模塊封裝形式,具有三個PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件。?? ? ? 可控硅模塊又叫晶閘管(Silicon Controlled Rectifier, SCR)。自從20世紀
常用的熔斷器(1)插入式熔斷器它常用于380V及以下電壓等級的線路末端,作為配電支線或電氣設(shè)備的短路保護用。(2)螺旋式熔斷器熔體上的上端蓋有一熔斷指示器,一旦熔體熔斷,指示器馬上彈出,可透過瓷帽上的玻璃孔觀察到,它常用于機床電氣控制設(shè)備中。螺旋式熔斷器。分斷電流較大,可用于電壓等級500V及其以下、電流等級200A以下的電路中,作短路保護。(3)封閉式熔斷器封閉式熔斷器分有填料熔斷器和無填料熔斷
可控硅壞的原因:1、電壓擊穿可控硅因不能承受電壓而損壞,其芯片中有一個光潔的小孔,有時需用擴大鏡才能看見。其原因可能是管子本身耐壓下降或被電路斷開時產(chǎn)生的高電壓擊穿。2、電流損壞電流損壞的痕跡特征是芯片被燒成一個凹坑,且粗糙,其位置在遠離控制較上。3、電流上升率損壞其痕跡與電流損壞相同,而其位置在控制較附近或就在控制較上。4、邊緣損壞他發(fā)生在芯片外圓倒角處,有細小光潔小孔。用放大鏡可看到倒角面上有
【二極管模塊】快恢復(fù)二極管和快恢復(fù)二極管模塊有什么區(qū)別?
二者都是反向恢復(fù)很快的二極管,主要區(qū)別是功率、速度和封裝不同快恢復(fù)二極管一般指電流、電壓、功率比較小的單管,一般電流幾個安培以內(nèi),電壓較高1000多V,但是反向恢復(fù)素的很快,只有幾個ns至幾十個ns,用在小功率開關(guān)電源做輸出整流,或需要頻繁開關(guān)的場合,器封裝一般是塑封、玻璃封裝、陶瓷封裝等,很小,例如UF4007快恢復(fù)二極管模塊指封裝成模塊的二極管,功率較大,幾十、幾百安培,主要用于整流,在大功率
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