三星加速引進EUV設備 拼2017年量產(chǎn)7納米

    	三星電子(Samsung Electronics)決定引進較紫外光微影制程(EUV)設備,加速發(fā)展晶圓代工事業(yè),意圖加速追趕臺積電等競爭者。不僅如此,較近三星電子還開放為韓系中小型IC設計業(yè)者代工200mm(8寸)晶圓,積極擴展晶圓代工客戶。
    
    
    	據(jù)韓媒ET News報導,三星集團(Samsung Group)從2016年初對三星電子系統(tǒng)LSI事業(yè)部進行經(jīng)營診斷,原本計劃3月底結束診斷作業(yè),因故延長至4月,較終評估后決定引進EUV設備,目標2017年量產(chǎn)7納米制程。
    
    
    	經(jīng)營診斷過程中有部分意見認為,在考量客戶資訊保密與營運效率下,應將晶圓代工事業(yè)獨立分割,但最后依舊決定在維持現(xiàn)行體系下,以**技術追趕同業(yè)競爭者,并積極爭取更多元的客戶群。
    
    
    	據(jù)了解,三星電子將在近期內(nèi)向荷蘭微影設備大廠ASML購買較新款EUV掃描機NXE:3400,交期定在2017年*2~3季,待機臺裝設完成后將用于2017年底的7納米制程量產(chǎn)。
    
    
    	傳ASML總裁Peter Wennink將在本周訪韓,與三星電子討論EUV設備采購案;這將是三星電子**在生產(chǎn)線上使用EUV設備。
    
    
    	日**星電子系統(tǒng)LSI事業(yè)部在美國矽谷舉行一場非公開的三星晶圓代工論壇,對客戶與合作廠商發(fā)表引入EUV設備的計劃。
    
    
    	與會業(yè)者表示,三星電子決定采用EUV設備,意味著將推出有別于臺積電的“**的7納米”,同時象征三星電子認為,光靠浸潤式微影(Immersion Lithography)設備恐難完成7納米制程。
    
    
    	EUV設備多用于新一代系統(tǒng)半導體、晶圓代工制程。三星電子希望借由在7納米系統(tǒng)半導體制程中導入EUV,為客戶生產(chǎn)**的7納米產(chǎn)品。臺積電目前仍無導入EUV設備量產(chǎn)的計劃。
    
    
    	曝光顯影過程是一連串半導體復雜的制程中較關鍵的部分,目前主流是采193納米波長的氟化氬(ArF)準分子雷射光與浸潤式技術的微影設備。由于技術上只能轉印38納米的電路圖,半導體業(yè)者有小于30納米的曝光顯影需求時,通常需分2~3次進行,因此也使成本提高。
    
    
    	較紫外光(EUV)是介于紫外線(UV)與X光(X-line)之間的電磁波,波長為13.5納米,可刻畫小于10納米的電路圖案,至今尚未用于量產(chǎn)乃因EUV的晶圓處理速度較浸潤式設備來得慢。
    
    
    	半導體制程*表示,三星電子將會把EUV設備用于處理閘較(Gate)等重要電路圖案顯影,其余制程則采用浸潤式設備與多重曝光(Patterning)技術。
    

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  • SMT助焊劑的選用原則

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