四川雅安bad die芯片回收深圳封裝廠

時間：2023-04-21

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中電阻R1和R2的取值必須使當輸入為+VCC時的三極管可靠地飽和，即有βIbIes在.21中假設Vcc=5V，Ies=50mA,β=100,則有Ib0.5mA而Ib=(Vcc-Vbe)/R1-Vbe/R2若取R2=4.7K，則R16.63K,為了使三極管有一定的飽和深度和兼顧三極管電流放大倍數(shù)的離散性，一般取R1=3.6K左右即可。若取R1=3.6K，當集成電路控制端為+VCC時，應能至少提供1.2mA的驅(qū)動電流(流過R1的電流)給本驅(qū)動電路，而許多集成電路(標準8051單片機)輸出的高電平不能達到這個要求，但它的低電平驅(qū)動能力則比較強(標準8051單片機I/O口輸出低電平能提供20mA的驅(qū)動電流(這里說的是漏電流))，則應該用如.22所示的電路來驅(qū)動繼電器。
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