【回收ACF膠】導(dǎo)電膠膜

時(shí)間：2021-09-19作者：深圳市齊昌利再生資源有限公司瀏覽：395

導(dǎo)電膠膜




異方性導(dǎo)電膠膜(Anisotropic Conductive Film；ACF)
2.1 何謂異方性導(dǎo)電膠：其特點(diǎn)在于Z軸電氣導(dǎo)通方向與XY絕緣平面的電阻特性具有明顯的差異性。當(dāng)Z軸導(dǎo)通電阻值與XY平面絕緣電阻值的差異**過一定比值后，既可稱為良好的導(dǎo)電異方性。
2.2 導(dǎo)通原理：利用導(dǎo)電粒子連接IC芯片與基板兩者之間的電極使之成為導(dǎo)通，同時(shí)又能避免相鄰兩電極間導(dǎo)通短路，而達(dá)成只在Z軸方向?qū)ㄖ康摹?/div>

2.3 產(chǎn)品分類：1. 異方性導(dǎo)電膏。2. 異方性導(dǎo)電膜。異方性導(dǎo)電膜(ACF)具有可以連續(xù)加工(Tape-on-Reel)較低材料損失的特性，因此成為目前較普遍使用的產(chǎn)品形式。

2.4 主要組成：主要包括樹脂黏著劑、導(dǎo)電粒子兩大部分。樹脂黏著劑功能除了防濕氣，接著，耐熱及絕緣功能外主要為固定IC芯片與基板間電極相對(duì)位置，并提供一壓迫力量已維持電極與導(dǎo)電粒子間的接觸面積。

一般樹脂分為熱塑性樹脂與熱固性樹脂兩大類。熱塑性材料主要具有低溫接著，組裝快速較容易重工之優(yōu)點(diǎn)，但亦具有高熱膨脹性和高吸濕性缺點(diǎn)，使其處于高溫下易劣化，無法符合可靠性、信賴性之需求。而熱固性樹脂如環(huán)氧樹脂(Epoxy)、Polyimide等，則具有高溫安定性且熱膨脹性和吸濕性低等優(yōu)點(diǎn)，但加工溫度高且不易重工為其缺點(diǎn)，但其可靠性高的優(yōu)點(diǎn)仍為目前采用較廣泛之材料。

在導(dǎo)電粒子方面，異方導(dǎo)電特性主要取決于導(dǎo)電粒子的充填率。雖然異方性導(dǎo)電膠其導(dǎo)電率會(huì)隨著導(dǎo)電粒子充填率的增加而提高，但同時(shí)也會(huì)提升導(dǎo)電粒子互相接觸造成短路的機(jī)率。

另外，導(dǎo)電粒子的粒徑分布和分布均勻性亦會(huì)對(duì)異方導(dǎo)電特性有所影響。通常，導(dǎo)電粒子必須具有良好的粒徑均一性和真圓度，以確保電極與導(dǎo)電粒子間的接觸面積一致，維持相同的導(dǎo)通電阻，并同時(shí)避免部分電極未接觸到導(dǎo)電粒子，導(dǎo)致開路的情形發(fā)生。常見的粒徑范圍在3~5μm之間，太大的導(dǎo)電粒子會(huì)降低每個(gè)電極接觸的粒子數(shù)，同時(shí)也容易造成相鄰電極導(dǎo)電粒子接觸而短路的情形；太小的導(dǎo)電粒子容易行成粒子聚集的問題，造成粒子分布密度不平均。在導(dǎo)電粒子的種類方面目前已金屬粉末和高分子塑料球表面涂布金屬為主。常見使用的金屬粉鎳(Ni)、金(Au)、鎳上鍍金、銀及錫合金等。

目前在可靠性和細(xì)間距化的趨勢下，如COF和COG構(gòu)裝所使用之異方性導(dǎo)電膠，其導(dǎo)電粒子多表面鍍鎳鍍金之高分子塑料粉末，其特點(diǎn)在于塑料**具可壓縮性，因此可以增加電極與導(dǎo)電粒子間的接觸面積，降低導(dǎo)通電阻；同時(shí)，塑料**與樹脂基礎(chǔ)原料的熱膨脹性較為接近，可以避免熱循環(huán)和熱沖擊環(huán)境時(shí)，在高溫或低溫環(huán)境下，導(dǎo)電粒子因與樹脂基礎(chǔ)原料的熱膨脹性差異減少與電極間的接觸面積，導(dǎo)致導(dǎo)通電阻上升，甚至于開路失效的情形發(fā)生。

2.5 貼合工藝：平時(shí)導(dǎo)電粒子在黏合劑中均勻分布,互不接觸,加之有一層絕緣膜,ACF 膜是不導(dǎo)電的,當(dāng)對(duì)ACF膜加壓、加熱后(一般加壓、加熱分兩次,**次為臨時(shí)貼在產(chǎn)品上60 ℃～100 ℃, (3～10) ×104 Pa ,2 s～10 s 出貨,*二次為部品搭載時(shí)約150 ℃～200 ℃,(20～40) ×104 Pa ,10 s～20 s) 導(dǎo)電粒子絕緣膜破裂,并互相在有線路的部分(因?yàn)檩^無線路部分突起) 擠壓在一起,形成導(dǎo)通,被擠壓后的導(dǎo)電粒子體積是原來的3～4 倍(導(dǎo)電粒子體積不變，差別在於原本是球體狀，經(jīng)過熱壓後變成類似圓餅狀，讓上下電極有更多的面積接觸到導(dǎo)電粒子),加熱使黏合劑固化,保持導(dǎo)通狀態(tài)。一般導(dǎo)通部分電阻在10 Ω以下,未導(dǎo)通部分相鄰端子間在100MΩ 以上。





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