中國氮化鎵(GaN)產(chǎn)業(yè)前景趨勢(shì)及發(fā)展規(guī)劃建議報(bào)告2021-2026年

    中國氮化鎵(GaN)產(chǎn)業(yè)前景趨勢(shì)及發(fā)展規(guī)劃建議報(bào)告2021-2026年
    【報(bào)告編號(hào)】: 380935
    【出版時(shí)間】: 2020年11月
    【出版機(jī)構(gòu)】: 華研中商研究院
    【交付方式】: EMIL電子版或特快專遞 
    【報(bào)告價(jià)格】:【紙質(zhì)版】:6500元 【電子版】: 6800元 【紙質(zhì)+電子】: 7000元 
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    【報(bào)告目錄】 
    **章 氮化鎵相關(guān)概述
    1.1 氮化鎵基本介紹
    1.1.1 氮化鎵基本概念
    1.1.2 氮化鎵形成階段
    1.1.3 氮化鎵性能優(yōu)勢(shì)
    1.1.4 氮化鎵半導(dǎo)體作用
    1.2 氮化鎵材料的特性
    1.2.1 結(jié)構(gòu)特性
    1.2.2 化學(xué)特性
    1.2.3 光學(xué)特性
    1.2.4 電學(xué)性質(zhì)
    1.2.5 磁學(xué)特性
    1.3 氮化鎵的制備方法
    1.3.1 金屬**化學(xué)氣相沉積(MOCVD)技術(shù)
    1.3.2 分子束外延(MBE)技術(shù)
    1.3.3 氫化物氣相外延(HVPE)技術(shù)
    1.3.4 懸空外延技術(shù)(Pendeo-epitaxy)
    *二章 2018-2020年半導(dǎo)體材料行業(yè)發(fā)展綜述
    2.1 半導(dǎo)體材料相關(guān)概述
    2.1.1 **代半導(dǎo)體材料
    2.1.2 *二代半導(dǎo)體材料
    2.1.3 *三代半導(dǎo)體材料
    2.1.4 半導(dǎo)體材料的應(yīng)用
    2.2 2018-2020年**半導(dǎo)體材料發(fā)展?fàn)顩r
    2.2.1 市場(chǎng)銷售規(guī)模
    2.2.2 區(qū)域分布狀況
    2.2.3 細(xì)分市場(chǎng)結(jié)構(gòu)
    2.2.4 市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)狀況
    2.3 2018-2020年中國半導(dǎo)體材料行業(yè)運(yùn)行狀況
    2.3.1 應(yīng)用環(huán)節(jié)分析
    2.3.2 產(chǎn)業(yè)支持政策
    2.3.3 市場(chǎng)銷售規(guī)模
    2.3.4 細(xì)分市場(chǎng)結(jié)構(gòu)
    2.3.5 產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型升級(jí)
    2.4 中國半導(dǎo)體材料行業(yè)存在的問題及發(fā)展對(duì)策
    2.4.1 行業(yè)發(fā)展滯后
    2.4.2 產(chǎn)品同質(zhì)化問題
    2.4.3 供應(yīng)鏈不完善
    2.4.4 行業(yè)發(fā)展建議
    2.4.5 行業(yè)發(fā)展思路
    2.5 半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)未來發(fā)展前景展望
    2.5.1 行業(yè)發(fā)展趨勢(shì)
    2.5.2 行業(yè)需求分析
    2.5.3 行業(yè)前景分析
    *三章 2018-2020年氮化鎵產(chǎn)業(yè)發(fā)展深度分析
    3.1 氮化鎵產(chǎn)業(yè)發(fā)展綜述
    3.1.1 產(chǎn)業(yè)鏈條分析
    3.1.2 產(chǎn)業(yè)發(fā)展歷程
    3.1.3 產(chǎn)業(yè)支持政策
    3.1.4 國產(chǎn)化將加速
    3.2 2018-2020年氮化鎵市場(chǎng)發(fā)展?fàn)顩r
    3.2.1 氮化鎵市場(chǎng)發(fā)展現(xiàn)狀
    3.2.2 氮化鎵市場(chǎng)需求狀況
    3.2.3 氮化鎵應(yīng)用領(lǐng)域分析
    3.2.4 氮化鎵產(chǎn)業(yè)鏈供應(yīng)商
    3.2.5 氮化鎵區(qū)域集聚發(fā)展
    3.2.6 氮化鎵器件發(fā)展瓶頸
    3.3 氮化鎵產(chǎn)業(yè)技術(shù)及研發(fā)狀況
    3.3.1 產(chǎn)業(yè)自主創(chuàng)新
    3.3.2 產(chǎn)業(yè)研發(fā)進(jìn)展
    3.3.3 技術(shù)**分析
    *四章 2018-2020年氮化鎵器件主要類型發(fā)展分析
    4.1 發(fā)光二極管(LED)
    4.1.1 發(fā)光二極管(LED)發(fā)展概述
    4.1.2 發(fā)光二極管(LED)市場(chǎng)發(fā)展現(xiàn)狀
    4.1.3 發(fā)光二極管進(jìn)出口數(shù)據(jù)分析
    4.1.4 氮化鎵基藍(lán)綠光LED發(fā)展歷程
    4.1.5 氮化鎵在LED領(lǐng)域的技術(shù)突破
    4.2 場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)
    4.2.1 場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)發(fā)展概述
    4.2.2 GaN FET與硅FET的比較分析
    4.2.3 GaN FET產(chǎn)品的應(yīng)用情況
    4.3 激光二極管(LD)
    4.3.1 激光二極管(LD)發(fā)展概述
    4.3.2 激光二極管(LD)背景技術(shù)
    4.3.3 激光器進(jìn)出口市場(chǎng)數(shù)據(jù)分析
    4.3.4 GaN基激光器發(fā)展概況分析
    4.3.5 GaN基激光器技術(shù)發(fā)展情況
    4.4 二極管(Diodes)
    4.4.1 二極管(Diodes)發(fā)展概述
    4.4.2 二極管進(jìn)出口數(shù)據(jù)分析
    4.4.3 氮化鎵二極管技術(shù)發(fā)展?fàn)顩r
    4.5 射頻器件(RF)
    4.5.1 射頻器件(RF)發(fā)展概述
    4.5.2 GaN射頻器件市場(chǎng)發(fā)展?fàn)顩r
    4.5.3 GaN射頻元件企業(yè)發(fā)展分析
    4.6 太陽能電池(Solar Cells)
    4.6.1 2018-2020年中國太陽能電池進(jìn)出口數(shù)據(jù)分析
    4.6.2 InGaN/GaN**阱結(jié)構(gòu)太陽能電池發(fā)展概述
    4.6.3 InGaN/GaN**阱太陽能電池效率影響因素
    4.6.4 InGaN/GaN**阱太陽能電池效率提升工藝
    4.6.5 InGaN/GaN**阱結(jié)構(gòu)太陽能電池發(fā)展展望
    *五章 2018-2020年氮化鎵應(yīng)用領(lǐng)域分析
    5.1 氮化鎵在電力電子產(chǎn)業(yè)的應(yīng)用
    5.1.1 電力電子器件產(chǎn)業(yè)發(fā)展意義
    5.1.2 GaN應(yīng)用在電力電子領(lǐng)域的優(yōu)勢(shì)
    5.1.3 GaN電力電子器件產(chǎn)品分析
    5.1.4 GaN電力電子器件分布情況
    5.1.5 GaN組件商品化帶來的機(jī)遇
    5.1.6 電力電子器件市場(chǎng)未來發(fā)展方向
    5.1.7 “十四五”中國電力電子發(fā)展重點(diǎn)
    5.2 氮化鎵在新能源產(chǎn)業(yè)的應(yīng)用
    5.2.1 新能源行業(yè)相關(guān)政策支持
    5.2.2 新能源行業(yè)整體發(fā)展形勢(shì)
    5.2.3 新能源發(fā)電建設(shè)和運(yùn)行情況
    5.2.4 GaN大功率器件需求潛力
    5.3 氮化鎵在智能電網(wǎng)產(chǎn)業(yè)的應(yīng)用
    5.3.1 發(fā)展智能電網(wǎng)的重要意義
    5.3.2 智能電力設(shè)備發(fā)展分析
    5.3.3 智能電力設(shè)備關(guān)鍵技術(shù)
    5.3.4 GaN大功率器件需求潛力
    5.4 氮化鎵在通訊設(shè)備產(chǎn)業(yè)的應(yīng)用
    5.4.1 通訊設(shè)備市場(chǎng)需求分析
    5.4.2 通訊設(shè)備制造業(yè)運(yùn)行分析
    5.4.3 GaN大功率器件需求潛力
    5.5 氮化鎵其他領(lǐng)域應(yīng)用分析
    5.5.1 GaN在4C產(chǎn)業(yè)的應(yīng)用
    5.5.2 GaN在無線基站領(lǐng)域應(yīng)用
    5.5.3 GaN在紫外探測(cè)領(lǐng)域的應(yīng)用
    5.5.4 GaN在紅外探測(cè)領(lǐng)域的應(yīng)用
    5.5.5 GaN在壓力傳感器中的應(yīng)用
    5.5.6 GaN在生物化學(xué)探測(cè)領(lǐng)域的應(yīng)用
    *六章 2018-2020年**氮化鎵產(chǎn)業(yè)重點(diǎn)企業(yè)經(jīng)營狀況分析
    6.1 MACOM
    6.1.1 企業(yè)發(fā)展概況
    6.1.2 2020年企業(yè)經(jīng)營狀況
    6.1.3 2020年企業(yè)經(jīng)營狀況
    6.1.4 2020年企業(yè)經(jīng)營狀況
    6.2 科沃(Qorvo)
    6.2.1 企業(yè)發(fā)展概況
    6.2.2 2020年企業(yè)經(jīng)營狀況
    6.2.3 2020年企業(yè)經(jīng)營狀況
    6.2.4 2020年企業(yè)經(jīng)營狀況
    6.3 雷神
    6.3.1 企業(yè)發(fā)展概況
    6.3.2 2020年企業(yè)經(jīng)營狀況
    6.3.3 2020年企業(yè)經(jīng)營狀況
    6.3.4 2020年企業(yè)經(jīng)營狀況
    6.4 恩智浦
    6.4.1 企業(yè)發(fā)展概況
    6.4.2 2020年企業(yè)經(jīng)營狀況
    6.4.3 2020年企業(yè)經(jīng)營狀況
    6.4.4 2020年企業(yè)經(jīng)營狀況
    6.5 英飛凌
    6.5.1 企業(yè)發(fā)展概況
    6.5.2 2020年企業(yè)經(jīng)營狀況
    6.5.3 2020年企業(yè)經(jīng)營狀況
    6.5.4 2020年企業(yè)經(jīng)營狀況
    *七章 2016-2020年中國氮化鎵產(chǎn)業(yè)重點(diǎn)企業(yè)經(jīng)營狀況分析
    7.1 蘇州納維科技有限公司
    7.1.1 企業(yè)發(fā)展概況
    7.1.2 企業(yè)主營業(yè)務(wù)
    7.1.3 企業(yè)發(fā)展成就
    7.2 蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司
    7.2.1 企業(yè)發(fā)展概況
    7.2.2 企業(yè)發(fā)展成就
    7.2.3 企業(yè)項(xiàng)目進(jìn)展
    7.3 東莞市中鎵半導(dǎo)體科技有限公司
    7.3.1 企業(yè)發(fā)展概況
    7.3.2 企業(yè)人才隊(duì)伍
    7.3.3 企業(yè)獲得榮譽(yù)
    7.3.4 公司**技術(shù)
    7.3.5 企業(yè)發(fā)展規(guī)劃
    7.4 三安光電股份有限公司
    7.4.1 企業(yè)發(fā)展概況
    7.4.2 經(jīng)營效益分析
    7.4.3 業(yè)務(wù)經(jīng)營分析
    7.4.4 財(cái)務(wù)狀況分析
    7.4.5 **競(jìng)爭(zhēng)力分析
    7.4.6 公司發(fā)展戰(zhàn)略
    7.4.7 未來前景展望
    7.5 杭州士蘭微電子股份有限公司
    7.5.1 企業(yè)發(fā)展概況
    7.5.2 經(jīng)營效益分析
    7.5.3 業(yè)務(wù)經(jīng)營分析
    7.5.4 財(cái)務(wù)狀況分析
    7.5.5 **競(jìng)爭(zhēng)力分析
    7.5.6 公司發(fā)展戰(zhàn)略
    7.5.7 未來前景展望
    7.6 四川海特**股份有限公司
    7.6.1 企業(yè)發(fā)展概況
    7.6.2 經(jīng)營效益分析
    7.6.3 業(yè)務(wù)經(jīng)營分析
    7.6.4 財(cái)務(wù)狀況分析
    7.6.5 **競(jìng)爭(zhēng)力分析
    7.6.6 公司發(fā)展戰(zhàn)略
    7.6.7 未來前景展望
    *八章 2021-2026年氮化鎵產(chǎn)業(yè)投資分析及前景預(yù)測(cè)
    8.1 氮化鎵產(chǎn)業(yè)投資潛力分析
    8.1.1 產(chǎn)業(yè)投資機(jī)會(huì)
    8.1.2 企業(yè)并購案例
    8.1.3 企業(yè)并購金額
    8.1.4 投資擴(kuò)產(chǎn)狀況
    8.1.5 區(qū)域投資分布
    8.2 氮化鎵產(chǎn)業(yè)發(fā)展前景展望
    8.2.1 產(chǎn)業(yè)發(fā)展前景
    8.2.2 市場(chǎng)應(yīng)用潛力
    8.2.3 市場(chǎng)發(fā)展機(jī)遇
    8.3 2021-2026年中國氮化鎵市場(chǎng)預(yù)測(cè)分析
    8.3.1 2021-2026年中國氮化鎵市場(chǎng)影響因素分析
    8.3.2 2021-2026年中國5G基站GaN功放市場(chǎng)規(guī)模預(yù)測(cè)
    
    
    圖表目錄
    圖表 半導(dǎo)體發(fā)展歷程
    圖表 硅、砷化鎵、氮化鎵主要電學(xué)性質(zhì)參數(shù)比較
    圖表 半導(dǎo)體材料性能比較
    圖表 砷化鎵/氮化鎵半導(dǎo)體的作用
    圖表 纖鋅礦結(jié)構(gòu)和閃鋅礦結(jié)構(gòu)兩種結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)特性
    圖表 三代半導(dǎo)體材料常溫下部分性質(zhì)
    圖表 半導(dǎo)體材料的主要應(yīng)用
    圖表 2017-2020年**半導(dǎo)體材料銷售額及增速
    圖表 2017-2020年中國半導(dǎo)體材料銷售額及增速
    圖表 2020年**半導(dǎo)體材料市場(chǎng)區(qū)域占比情況
    圖表 2017-2020年**晶圓制造及封裝材料市場(chǎng)銷售規(guī)模
    圖表 2020年**晶圓制造材料市場(chǎng)規(guī)模
    圖表 SiC電子電力產(chǎn)業(yè)的**分布特點(diǎn)
    圖表 半導(dǎo)體材料主要應(yīng)用于晶圓制造與封測(cè)環(huán)節(jié)
    圖表 半導(dǎo)體材料相關(guān)支持政策(一)
    圖表 半導(dǎo)體材料相關(guān)支持政策(二)
    圖表 半導(dǎo)體材料相關(guān)支持政策(三)
    圖表 半導(dǎo)體材料相關(guān)支持政策(四)
    圖表 2018-2022年中國半導(dǎo)體材料市場(chǎng)銷售額統(tǒng)計(jì)情況及預(yù)測(cè)
    圖表 2018-2020年中國晶圓制造及封裝材料市場(chǎng)銷售規(guī)模
    圖表 2020年國內(nèi)晶圓制造材料細(xì)分領(lǐng)域
    圖表 GaN器件產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)及主要企業(yè)
    圖表 GaN外延用不同襯底的對(duì)比
    圖表 GaN器件主要產(chǎn)品與工藝技術(shù)
    圖表 GaN器件發(fā)展史
    圖表 國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展綱要
    圖表 GaN器件適用于功率器件市場(chǎng)
    圖表 2020年國內(nèi)*三代半導(dǎo)體集聚區(qū)建設(shè)進(jìn)展(一)
    圖表 2020年國內(nèi)*三代半導(dǎo)體集聚區(qū)建設(shè)進(jìn)展(二)
    圖表 2020年8英寸Si基GaN外延片及器件研發(fā)進(jìn)展
    圖表 RFGaN領(lǐng)域主要**權(quán)人的**組合強(qiáng)度
    圖表 LED的生產(chǎn)流程
    圖表 LED器件按封裝形式分類
    圖表 LED器件按應(yīng)用領(lǐng)域分類
    圖表 2014-2020年國內(nèi)LED產(chǎn)值規(guī)模分析
    圖表 2014-2020年國內(nèi)LED室內(nèi)照明市場(chǎng)規(guī)模及增速
    圖表 2017-2020年中國發(fā)光二極管進(jìn)出口總額
    圖表 2017-2020年中國發(fā)光二極管進(jìn)出口(總額)結(jié)構(gòu)
    圖表 2017-2020年中國發(fā)光二極管貿(mào)易順差規(guī)模
    圖表 GaNFETSOA曲線示例
    圖表 電感硬開關(guān)測(cè)試電路
    圖表 Transphorm汽車級(jí)GaNFET產(chǎn)品示意圖
    圖表 2017-2020年中國激光器進(jìn)出口總額
    圖表 2017-2020年中國激光器進(jìn)出口(總額)結(jié)構(gòu)
    圖表 2017-2020年中國激光器貿(mào)易順差規(guī)模
    圖表 蘇州納米所研制的GaN藍(lán)光激光器
    圖表 蘇州納米所研制的綠光激光器光功率-電流曲線
    圖表 蘇州納米所研制的綠光激光器激射光譜
    圖表 不同顯示技術(shù)所能顯示的色域范圍對(duì)比圖
    圖表 二極管結(jié)構(gòu)圖
    圖表 二極管的圖形符號(hào)
    圖表 硅二極管典型伏安特性曲線
    圖表 二極管的好壞判斷
    圖表 2018-2020年中國二極管進(jìn)出口總額
    圖表 2018-2020年中國二極管進(jìn)出口(總額)結(jié)構(gòu)
    圖表 2018-2020年中國二極管貿(mào)易順差規(guī)模
    圖表 再生長GaN二極管中的1/C2-V特性曲線
    圖表 器件結(jié)構(gòu)圖以及n-GaN漂移層中的摻雜濃度變化
    圖表 2018-2020年中國太陽能電池進(jìn)出口總額
    圖表 2018-2020年中國太陽能電池進(jìn)出口(總額)結(jié)構(gòu)
    圖表 2018-2020年中國太陽能電池貿(mào)易順差規(guī)模
    圖表 InGaN材料帶隙對(duì)應(yīng)的AM1.5太陽光譜的覆蓋
    圖表 **阱區(qū)域結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)對(duì)InGaN/GaN**阱太陽能電池特性的影響
    圖表 光強(qiáng)和溫度對(duì)InGaN/GaN**阱太陽電池性能的影響
    圖表 表面納米結(jié)構(gòu)InGaN/GaN**阱太陽能電池的性能特性
    圖表 具有反射鏡結(jié)構(gòu)的InGaN/GaN**阱太陽電池特性
    圖表 垂直InGaN/GaN**阱太陽能電池結(jié)構(gòu)圖
    圖表 垂直結(jié)構(gòu)InGaN/GaN**阱太陽能電池的性能特性
    圖表 GaN晶體管性能分析
    圖表 2020年GaN功率半導(dǎo)體新產(chǎn)品
    圖表 2020年GaN功率模塊新產(chǎn)品
    圖表 GaN器件應(yīng)用領(lǐng)域及電壓分布情況
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  • **及中國M2M行業(yè)未來發(fā)展趨勢(shì)及投資戰(zhàn)略規(guī)劃分析報(bào)告2021~2026年報(bào)告

    **及中國M2M行業(yè)未來發(fā)展趨勢(shì)及投資戰(zhàn)略規(guī)劃分析報(bào)告2021~2026年報(bào)告①【報(bào)告編號(hào)】:386043②【文 本 版】: 價(jià)格 6500元 人民幣(文本版)③【電 子 版】: 價(jià)格 6800元 人民幣(電子版)④【合 訂 版】: 價(jià)格 7000元 人民幣(全套版)⑤【撰寫單位】: 《北京華研中商研究院》⑨【聯(lián) 系 人】: 高虹 (客服經(jīng)理)【報(bào)告目錄】?1.1、M2M行業(yè)主管部門5&

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    中國智慧能源行業(yè)“十四五”規(guī)劃和遠(yuǎn)景目標(biāo)建議報(bào)告2021~2026年 【報(bào)告編號(hào)】: 379623 【出版時(shí)間】: 2020年11月 【出版機(jī)構(gòu)】: 華研中商研究院 【交付方式】: EMIL電子版或特快專遞 【報(bào)告價(jià)格】:【紙質(zhì)版】:6500元 【電子版】: 6800元 【紙質(zhì)+電子】: 7000元 【聯(lián) 系 人】: 高虹--客服專員 免費(fèi)售后服務(wù)一年,具體內(nèi)容及訂購流程歡迎咨詢客服人員。 【報(bào)告

  • 中國冷精鍛行業(yè)市場(chǎng)發(fā)展態(tài)勢(shì)及前景方向預(yù)測(cè)報(bào)告2021~2026年

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