Everspin Serial MRAM存儲(chǔ)芯片MR20H40CDF

時(shí)間：2020-04-21作者：深圳市英尚微電子有限公司瀏覽：153

Everspin在磁存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)，MRAM,STT-MRAM的制造和交付到相關(guān)應(yīng)用中的知識(shí)和經(jīng)驗(yàn)在半導(dǎo)體行業(yè)中是*一**的。擁有**過(guò)600多項(xiàng)有效**和申請(qǐng)的知識(shí)產(chǎn)權(quán)產(chǎn)品組合，在平面內(nèi)和垂直磁隧道結(jié)（MTJ）STT-MRAM位單元的開(kāi)發(fā)方面處于市場(chǎng)良好地位。英尚微電子作為everspin的**代理商,所提供的MRAM具有高度可靠的數(shù)據(jù)存儲(chǔ).沒(méi)有寫(xiě)延遲，并且讀/寫(xiě)壽命不受限制。
 
產(chǎn)品描述
MR20H40CDF是Everspin 所生產(chǎn)的由4194,304位磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（MRAM）設(shè)備系列，組織為524,288個(gè)8位字。對(duì)于必須使用少量I/O引腳快速存儲(chǔ)和檢索數(shù)據(jù)和程序的應(yīng)用程序，它們是理想的內(nèi)存解決方案。它們具有串行EEPROM和串行閃存兼容的讀/寫(xiě)時(shí)序，沒(méi)有寫(xiě)延遲，并且讀/寫(xiě)壽命不受限制。與其他串行存儲(chǔ)器不同，使用MR2xH40系列，讀取和寫(xiě)入都可以在內(nèi)存中隨機(jī)發(fā)生，而寫(xiě)入之間沒(méi)有延遲。
 
MR20H40CDF系列可在各種溫度范圍內(nèi)提供高度可靠的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。MR20H40CDF MRAM存儲(chǔ)芯片（50MHz）提供了（-40°至+85°C）的工業(yè)溫度范圍。MR20H40CDF（40MHz）具有工業(yè)（-40°至+85°C），擴(kuò)展（-40至105°C）和AEC-Q1001級(jí)（-40°C至+125°C）工作溫度范圍選項(xiàng)。兩者均采用5x6mm，8引腳DFN封裝。該引腳與串行SRAM，EEPROM，閃存和FeRAM產(chǎn)品兼容。



產(chǎn)品特征
沒(méi)有寫(xiě)入延遲
?無(wú)限的寫(xiě)續(xù)航力
?數(shù)據(jù)保留**過(guò)20年
?斷電時(shí)自動(dòng)數(shù)據(jù)保護(hù)
?快速，簡(jiǎn)單的SPI接口，MR20H40的時(shí)鐘速率高達(dá)50 MHz。
?3.0至3.6伏電源范圍
?低電流睡眠模式
?工業(yè)（-40至85°C），擴(kuò)展（-40至105°C）和AEC-Q100 1級(jí)（-40至125°C）溫度范圍選項(xiàng)。
?提供符合RoHS要求的8引腳DFN或8引腳DFN小標(biāo)志。
?直接替換串行EEPROM，閃存和FeRAM
?MSL 3級(jí)


深圳市英尚微電子有限公司專(zhuān)注于存儲(chǔ)器芯片IC,SRAM,MRAM,pSRAM,FLASH芯片,SDRAM等

• 詞條

  詞條說(shuō)明

• 醫(yī)療應(yīng)用中的Everspin MRAM

  Everspin擁有包括40nm，28nm及較高技術(shù)節(jié)點(diǎn)在內(nèi)的**技術(shù)節(jié)點(diǎn)上進(jìn)行了全包交鑰匙的300mm大批量平面內(nèi)和垂直MTJ ST-MRAM生產(chǎn)。Everspin生產(chǎn)基于180nm，130nm和90nm工藝技術(shù)節(jié)點(diǎn)的MRAM產(chǎn)品。產(chǎn)品包裝和測(cè)試業(yè)務(wù)遍及中國(guó)，閩臺(tái)和其他亞洲國(guó)家。Everspin深圳總代理英尚微電子已交付大量的MRAM芯片供給各行業(yè)領(lǐng)域范圍。 日本Nikkiso是工業(yè)，航空航天和

• Everspin Serial MRAM存儲(chǔ)芯片MR20H40CDF

  Everspin在磁存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)，MRAM,STT-MRAM的制造和交付到相關(guān)應(yīng)用中的知識(shí)和經(jīng)驗(yàn)在半導(dǎo)體行業(yè)中是*一**的。擁有**過(guò)600多項(xiàng)有效**和申請(qǐng)的知識(shí)產(chǎn)權(quán)產(chǎn)品組合，在平面內(nèi)和垂直磁隧道結(jié)（MTJ）STT-MRAM位單元的開(kāi)發(fā)方面處于市場(chǎng)良好地位。英尚微電子作為everspin的**代理商,所提供的MRAM具有高度可靠的數(shù)據(jù)存儲(chǔ).沒(méi)有寫(xiě)延遲，并且讀/寫(xiě)壽命不受限制。 產(chǎn)品描述 MR20H4

• 靈動(dòng)微可替換意法半導(dǎo)體MCU

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• Everspin一級(jí)代理商

  Everspin MRAM是一種具有革命性的存儲(chǔ)器，其原理是利用電子自旋的磁性結(jié)構(gòu)，來(lái)提供不會(huì)產(chǎn)生損耗的非揮發(fā)特性。Everspin MRAM可在集成了硅電路的磁性材料中存儲(chǔ)信息，以在單一、可無(wú)限使用的組件中提供MRAM的速度以及閃存的非揮發(fā)特性。Everspin是從飛思卡爾半導(dǎo)體公司分離出來(lái)的一家獨(dú)立公司。2006年，Everspin推出業(yè)界**款商業(yè)化MRAM產(chǎn)品。今日，Everspin M