【掩膜版】掩膜版的制作方法

時(shí)間：2021-04-28作者：北京華諾恒宇光能科技有限公司瀏覽：496

為了解決相關(guān)技術(shù)中保護(hù)膜對待蒸鍍基板產(chǎn)生污染，掩膜版的可靠性較差的問題，本實(shí)用新型提供了一種掩膜版。所述技術(shù)方案如下：

所述掩膜版包括：掩膜框架和固定設(shè)置在所述掩膜框架上的多個(gè)掩膜版本體，所述掩膜框架和所述多個(gè)掩膜版本體形成有透光區(qū)域，

每個(gè)所述掩膜版本體包括：掩膜條；

所述掩膜條上設(shè)置有銜接層；

設(shè)置有所述銜接層的掩膜條上設(shè)置有保護(hù)層，所述銜接層用于將所述保護(hù)層粘附至所述掩膜條上。

可選的，所述保護(hù)層呈蜂窩網(wǎng)狀。

可選的，所述保護(hù)層的網(wǎng)格為六邊形網(wǎng)格，所述網(wǎng)格的邊長為100微米～1000微米，線寬度為20微米～100微米，厚度為1微米～20微米。

可選的，所述保護(hù)層的網(wǎng)格的邊長為200微米，線寬度為20微米，厚度為10微米。

可選的，所述銜接層的厚度為0.1微米～1微米。

可選的，所述銜接層的厚度為0.5微米。

可選的，所述多個(gè)掩膜版本體的至少兩個(gè)掩膜版本體存在重疊的區(qū)域，所述重疊的區(qū)域上不設(shè)置保護(hù)層。

可選的，所述保護(hù)層由樹脂材料制成。

可選的，所述銜接層由硅烷偶聯(lián)劑、陶瓷、金屬及金屬氧化物納米粒子中的至少一種制成。

可選的，所述掩膜條由不銹鋼箔、因瓦合金或可伐合金制成。

本實(shí)用新型提供了一種掩膜版，掩膜版包括掩膜框架和固定設(shè)置在掩膜框架上的多個(gè)掩膜版本體，每個(gè)掩膜版本體包括掩膜條，掩膜條上設(shè)置有銜接層，設(shè)置有銜接層的掩膜條上設(shè)置有保護(hù)層，該銜接層能夠?qū)⒈Ｗo(hù)層粘附至掩膜條上，避免了保護(hù)層剝離脫落至待蒸鍍基板，進(jìn)而避免了保護(hù)層對待蒸鍍基板產(chǎn)生污染，提高了掩膜版的可靠性。




具體實(shí)施方式

為使本實(shí)用新型的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)較加清楚，下面將結(jié)合附圖對本實(shí)用新型實(shí)施方式作進(jìn)一步地詳細(xì)描述。

本實(shí)用新型實(shí)施例提供了一種掩膜版，如圖1所示，該掩膜版包括：掩膜框架100和固定設(shè)置在掩膜框架上的多個(gè)掩膜版本體200。掩膜框架100和多個(gè)掩膜版本體200形成有透光區(qū)域300。

如圖2所示，每個(gè)掩膜版本體200包括：

掩膜條211；

掩膜條211上設(shè)置有銜接層212；

設(shè)置有銜接層212的掩膜條上設(shè)置有保護(hù)層213，銜接層212用于將保護(hù)層213粘附至掩膜條211上。

綜上所述，本實(shí)用新型實(shí)施例提供的掩膜版，掩膜版包括掩膜框架和固定設(shè)置在掩膜框架上的多個(gè)掩膜版本體，每個(gè)掩膜版本體包括掩膜條，掩膜條上設(shè)置有銜接層，設(shè)置有銜接層的掩膜條上設(shè)置有保護(hù)層，該銜接層能夠?qū)⒈Ｗo(hù)層粘附至掩膜條上，避免了保護(hù)層剝離脫落至待蒸鍍基板，進(jìn)而避免了保護(hù)層對待蒸鍍基板產(chǎn)生污染，提高了掩膜版的可靠性。

需要說明的是，如果保護(hù)層與待蒸鍍基板的接觸面積過大，保護(hù)層也會(huì)對待蒸鍍基板造成損害，因此，為了減小保護(hù)層與待蒸鍍基板的接觸面積，進(jìn)而減小保護(hù)層對待蒸鍍基板的損害，如圖3所示，保護(hù)層213可以呈蜂窩網(wǎng)狀。

另外，蜂窩網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)可以分散來自各方向的壓力，使得蜂窩網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)對壓力的抵抗能力較高，所以呈蜂窩網(wǎng)狀的保護(hù)層比較堅(jiān)固，能夠減小待蒸鍍基板與保護(hù)層接觸時(shí)待蒸鍍基板對保護(hù)層的損傷及壓傷。

此外，保護(hù)層還可以呈三角形狀、菱形狀或矩形狀等。本實(shí)用新型實(shí)施例對保護(hù)層的結(jié)構(gòu)不做限定。

示例的，如圖4所示，呈蜂窩網(wǎng)狀的保護(hù)層的網(wǎng)格為六邊形網(wǎng)格。保護(hù)層的網(wǎng)格的邊長a為100微米～1000微米，線寬度b為20微米～100微米，厚度(圖4中未示出)為1微米～20微米。優(yōu)選的，保護(hù)層213的網(wǎng)格的邊長為200微米，線寬度為20微米，厚度為10微米。

可選的，保護(hù)層由樹脂材料制成。保護(hù)層的材質(zhì)較軟，對待蒸鍍基板的損害較小。

可選的，如圖2所示，銜接層212的厚度d為0.1微米～1微米。優(yōu)選的，銜接層212的厚度為0.5微米。

為了將保護(hù)層牢固地粘附至掩膜條上，銜接層由具有較小表面張力及表面疏水處理作用的材料制成。示例的，銜接層可以由硅烷偶聯(lián)劑、陶瓷、金屬及金屬氧化物納米粒子中的至少一種制成。

如圖5所示，多個(gè)掩膜版本體200的至少兩個(gè)掩膜版本體存在重疊的區(qū)域400(如圖5中虛線所指示的區(qū)域)，為了減小該重疊的區(qū)域的厚度，在本實(shí)用新型實(shí)施例中，重疊的區(qū)域上不設(shè)置保護(hù)層。

可選的，圖2中的掩膜條211由不銹鋼箔、因瓦合金(Invar)或可伐合金(Kovar)制成。

具體的，參見圖1和圖2，本實(shí)用新型實(shí)施例中的掩膜版的制造過程可以包括如下幾個(gè)步驟：

1)在掩膜條上形成銜接層。

示例的，可以通過噴涂、旋涂、分子束外延等方式將具有較小表面張力及表面疏水處理作用的材料形成在掩膜條上，這樣一來，掩膜條上形成一層疏水薄膜，該疏水薄膜即為銜接層。該材料可以為硅烷偶聯(lián)劑、陶瓷、金屬及金屬氧化物納米粒子中的至少一種。關(guān)于噴涂、旋涂、分子束外延等方式的具體過程可以參考相關(guān)技術(shù)。

2)在形成有銜接層的掩膜條上形成保護(hù)層。

示例的，可以通過旋涂、曝光等光刻工藝將樹脂材料形成在銜接層上，使得銜接層上形成呈蜂窩網(wǎng)狀的保護(hù)層。至此，完成一個(gè)掩膜版本體的制造。

按照步驟1)和2)，制造多個(gè)掩膜版本體。

3)采用張網(wǎng)機(jī)將多個(gè)掩膜版本體固定設(shè)置在掩膜框架上。

掩膜框架和多個(gè)掩膜版本體形成有透光區(qū)域。示例的，可以采用張網(wǎng)機(jī)將多個(gè)掩膜版本體焊接在掩膜框架上。進(jìn)一步的，如圖5所示，多個(gè)掩膜版本體的至少兩個(gè)掩膜版本體存在重疊的區(qū)域400，為了減小該重疊的區(qū)域400的厚度，可以通過打磨的方式去除重疊的區(qū)域400上的保護(hù)層。

在使用本實(shí)用新型實(shí)施例提供的掩膜版進(jìn)行蒸鍍工藝時(shí)，將該掩膜版設(shè)置于待蒸鍍基板上方，并對掩膜版和待蒸鍍基板的位置進(jìn)行校正。之后，將**材料加熱至一定溫度，使得**材料通過待蒸鍍基板上方的掩膜版的透光區(qū)域到達(dá)待蒸鍍基板表面，從而在待蒸鍍基板上形成一定形狀的薄膜。




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