芯片分析方法

時間：2022-01-03作者：似空科學(xué)儀器（上海）有限公司瀏覽：1241

芯片分析方法

1.OM 光學(xué)顯微鏡觀察，外型分析

2.C-SAM（**音波掃描顯微鏡）

（1）原材料里面的晶格常數(shù)構(gòu)造，殘渣顆粒物，參雜物，沉淀，

（2） 內(nèi)部裂痕。 （3）分層次缺陷。（4）裂縫，汽泡，間隙等。

3. X－Ray 檢驗IC封裝中的各種各樣缺陷如層脫離、崩裂、裂縫及其打線的一致性，PCB工藝中也許出現(xiàn)的缺陷如兩端對齊欠佳或中繼，**、短路故障或異常聯(lián)接的缺陷，封裝形式中的錫球一致性。（這幾類是芯片產(chǎn)生無效后較先應(yīng)用的非破壞性分析手段）

4.SEM電鏡/EDX動能彌漫X光儀（原材料構(gòu)造分析/缺陷觀查，元素組成基本微區(qū)分析，精準(zhǔn)測量電子器件規(guī)格）

5.應(yīng)用激光器(不適感用以瓷器和金屬封裝)的封裝形式機(jī)殼一部分除去，使被檢樣品內(nèi)部構(gòu)造曝露。

6. EMMI微芒光學(xué)顯微鏡/OBIRCH鐳射束引起特性阻抗值轉(zhuǎn)變檢測/LC 液晶網(wǎng)絡(luò)熱點探測（這三者歸屬于常見泄露電流途徑分析手段，找尋發(fā)網(wǎng)絡(luò)熱點，LC要依靠探針臺，數(shù)字示波器）

7.激光切割制樣:應(yīng)用激光切割制樣控制模塊將小樣品開展固定不動，以便捷后面試驗開展

8.去層:應(yīng)用低溫等離子刻蝕機(jī)(RIE)除去芯片內(nèi)部的鈍化層，使被檢樣品下一層金屬材料曝露，如需除去金屬材料層觀查下一層構(gòu)造，可運用研磨設(shè)備開展碾磨去層。

9. FIB做一些電源電路改動，相切觀查


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