MOS場(chǎng)效應(yīng)管檢測(cè)方法

時(shí)間：2021-10-26作者：深圳市維品佳科技有限公司瀏覽：388

MOS場(chǎng)效應(yīng)管即金屬-氧化物-半導(dǎo)體型場(chǎng)效應(yīng)管，英文縮寫為MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor，即金屬氧化物合成半導(dǎo)體的場(chǎng)效應(yīng)晶體管），屬于絕緣柵型。

在金屬柵與溝道之間有一層二氧化硅絕緣層，因此具有很高的輸入電阻（高可達(dá)1015Ω）。

它也分N溝道管和P溝道管。通常是將襯底（基板）與源S接在一起。 



MOS場(chǎng)效應(yīng)管檢測(cè)方法：

1．準(zhǔn)備工作

測(cè)量之前，先把人體對(duì)地短路后，才能摸觸MOSFET的管腳。

好在手腕上接一條導(dǎo)線與大地連通，使人體與大地保持等電位。再把管腳分開，然后拆掉導(dǎo)線。

2．判定電

將萬(wàn)用表?yè)苡赗×100檔，首先確定柵。

若某腳與其它腳的電阻都是無(wú)窮大，證明此腳就是柵G。

交換表筆重測(cè)量，S-D之間的電阻值應(yīng)為幾百歐至幾千歐，其中阻值較小的那一次，黑表筆接的為D，紅表筆接的是S。

日本生產(chǎn)的3SK系列產(chǎn)品，S與管殼接通，據(jù)此很容易確定S。

3．檢查放大能力（跨導(dǎo)）

將G懸空，黑表筆接D，紅表筆接S，然后用手指觸摸G，表針應(yīng)有較大的偏轉(zhuǎn)。

雙柵MOS場(chǎng)效應(yīng)管有兩個(gè)柵G1、G2。為區(qū)分之，可用手分別觸摸G1、G2，其中表針向左側(cè)偏轉(zhuǎn)幅度較大的為G2。

有的MOSFET管在G-S間增加了保護(hù)二管，平時(shí)就不需要把各管腳短路了。

關(guān)鍵詞：  MOS場(chǎng)效應(yīng)管  7805晶體管  AC-DC電源芯片

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