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光電倍增管的分類有哪些?

    光電倍增管是一個真空管,其中光電陰極吸收光產生自由電子,然后在高電壓(幾百伏)下被加速,在另一電極產生二次電子,最后形成光電流。由于這一雪崩過程,光電流比光電二極管中的電流大好幾個數(shù)量級。因此,光電倍增管可以用于單光子計數(shù)。光電倍增管靈敏度很高,帶寬很大(>1GHz),并且在很大動態(tài)范圍內具有很好的非線性。
    光電倍增管的缺點在于尺寸大(與光電二極管相比),成本高,需要高電壓,并且有些情況下**效率較低(通常<25%,甚至有時<1%)。
    一種尺寸很小的光電倍增管是微通道光電倍增管,其中在摻雜玻璃中具有單片的管子。由于尺寸很小,因此可以將多個通道集成一起形成二維的陣列來實現(xiàn)很大的探測帶寬。
    有些情況下,可以用雪崩二極管代替光電倍增管,前者也是利用了放大機制,但是放大發(fā)生在固態(tài)材料中,而不是在真空管中。采用包含很多雪崩二極管的陣列可以得到很大的有源區(qū)面積;這一器件有時被稱為硅光電倍增管。與光電倍增管相比,硅光電倍增管較加*,成本較低,結構較穩(wěn)固。并且通常具有較高的**效率,但是也具有較高的放大噪聲。
    還有一種混合光電倍增管,其中電子從一個光電極產生然后在幾千伏的電壓下被加速到半導體芯片上,它類似于雪崩二極管。電子撞擊半導體會形成電子轟擊增益,然后形成雪崩放大。這一器件與普通的光電倍增管速度相似,并且脈沖振幅分辨率提高。并且,其響應時間很短,尺寸小。它們可應用在與光電倍增管相似的領域,包括光子計數(shù)。
    在雪崩二極管中增大有源區(qū)面積可以將多個像素點緊密排列在同一個芯片上來實現(xiàn)。這一器件有時也被稱為固態(tài)光電倍增管或者硅光電倍增管。

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