德國西門康可控硅你了解多少

時(shí)間：2022-08-23作者：上海秦邦電子科技有限公司瀏覽：381

德國西門康可控硅你了解多少




可控硅又稱晶閘管。自從20世紀(jì)50年代問世以來已經(jīng)發(fā)展成了電子元器件中**的一員，而目前交流調(diào)壓多采用雙向可控硅，它具有體積小、重量輕、效率高和使用方便等優(yōu)點(diǎn)，對(duì)提高生產(chǎn)效率和降低成本等都有顯著效果，但它也具有過載和抗干擾能力差，且在控制大電感負(fù)載時(shí)會(huì)干擾電網(wǎng)和自干擾等缺點(diǎn)，下面我們來談?wù)効煽毓柙谄涫褂弥腥绾伪苊馍鲜鰡栴}。



一、　靈敏度


雙向可控硅是一個(gè)三端元件，但我們不再稱其兩較為陰陽極，而是稱作T1和T2較，G為控制較，其控制較上所加電壓無論為正向觸發(fā)脈沖或負(fù)向觸發(fā)脈沖均可使控制較導(dǎo)通，在圖1所示的四種條件下雙向可控硅均可被觸發(fā)導(dǎo)通，但是觸發(fā)靈敏度互不相同，即保證雙向可控硅能進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài)的較小門較電流IGT是有區(qū)別的，其中(a)觸發(fā)靈敏度較高，(b)觸發(fā)靈敏度較低，為了保證觸發(fā)同時(shí)又要盡量限制門較電流，應(yīng)選擇(c)或(d)的觸發(fā)方式。


二、 可控硅過載的保護(hù)


可控硅元件優(yōu)點(diǎn)很多，但是它過載能力差，短時(shí)間的過流，過壓都會(huì)造成元件損壞，因此為保證元件正常工作，需有條件(1)外加電壓下允許**過正向轉(zhuǎn)折電壓，否則控制較將不起作用;(2)可控硅的通態(tài)平均電流從安全角度考慮一般按較大電流的1.5～2倍來取;(3)為保證控制較可靠觸發(fā)，加到控制較的觸發(fā)電流一般取大于其額值，除此以外，還必須采取保護(hù)措施，一般對(duì)過流的保護(hù)措施是在電路中串入快速熔斷器，其額定電流取可控硅電流平均值的1.5倍左右，其接入的位置可在交流側(cè)或直流側(cè)，當(dāng)在交流側(cè)時(shí)額定電流取大些，一般多采用前者，過電壓保護(hù)常發(fā)生在存在電感的電路上，或交流側(cè)出現(xiàn)干擾的浪涌電壓或交流側(cè)的暫態(tài)過程產(chǎn)生的過壓。由于，過電壓的尖峰高，作用時(shí)間短，常采用電阻和電容吸收電路加以抑制。


三、　控制大電感負(fù)載時(shí)的干擾電網(wǎng)和自干擾的避免


可控硅元件控制大電感負(fù)載時(shí)會(huì)有干擾電網(wǎng)和自干擾的現(xiàn)象，其原因是當(dāng)可控硅元件控制一個(gè)連接電感性負(fù)載的電路斷開或閉合時(shí)，其線圈中的電流通路被切斷，其變化率較大，因此在電感上產(chǎn)生一個(gè)高電壓，這個(gè)電壓通過電源的內(nèi)阻加在開關(guān)觸點(diǎn)的兩端，然后感應(yīng)電壓一次次放電直到感應(yīng)電壓**放電所必須的電壓為止，在這一過程中將產(chǎn)生較大的脈沖束。這些脈沖束疊加在供電電壓上，并且把干擾傳給供電線或以輻射形式傳向周圍空間，這種脈沖具有很高的幅度，很寬的頻率，因而具有感性負(fù)載的開關(guān)點(diǎn)是一個(gè)很強(qiáng)的噪聲源。


1.為防止或減小噪聲，對(duì)于移相控制式交流調(diào)壓一般的處理方法有電感電容濾波電路，阻容阻尼電路和雙向二極管阻尼電路及其它電路。


電感電容濾波電路，如圖2(a)所示，由電感電容構(gòu)成諧振回路，其低通截止頻率為f=1/2πIc，一般取數(shù)十千赫低頻率。


2.　雙向二極管阻尼電路，如圖2(b)所示。由于二極管是反向串聯(lián)的，所以它對(duì)輸入信號(hào)極性不敏感。當(dāng)負(fù)載被電源激勵(lì)時(shí)，抑制電路對(duì)負(fù)載無影響。當(dāng)電感負(fù)載線圈中電流被切斷時(shí)，則在抑制電路中有瞬態(tài)電流流過，因此就避免了感應(yīng)電壓通過開關(guān)接點(diǎn)放電，也就減小了噪聲，但是要求二極管的反向電壓應(yīng)比可能出現(xiàn)的任何瞬態(tài)電壓高。另一個(gè)是額定電流值要符合電路要求。


3.電阻電容阻尼電路，如圖2(C)所示，利用電容電壓不能突變的特性吸收可控硅換向時(shí)產(chǎn)生的尖峰狀過電壓，把它限制在允許范圍內(nèi)。串接電阻是在可控硅阻斷時(shí)防止電容和電感振蕩，起阻尼作用，另外阻容電路還具有加速可控硅導(dǎo)通的作用。


4.　另外一種防止或減小噪聲的方法是利用通斷比控制交流調(diào)壓方式，其原理是采用過零觸發(fā)電路，在電源電壓過零時(shí)就控制雙向可控硅導(dǎo)通和截止，即控制角為零，這樣在負(fù)載上得到一個(gè)完整的正弦波，但其缺點(diǎn)是適用于時(shí)間常數(shù)比通斷周期大的系統(tǒng)，如恒溫器。


目前均有銷售德國西門康可控硅等電子元器件，可以來電咨詢我們。








關(guān)鍵詞：  德國西門康可控硅  整流橋模塊  二極管模塊

編輯精選內(nèi)容：




三相整流橋模塊 型號(hào)齊全

二極管和二極管模塊有什么區(qū)別

英飛凌IGBT模塊 選型

【德國西門康可控硅】可控硅簡(jiǎn)介

【德國西門康可控硅】可控硅工作原理

熔斷器保險(xiǎn)絲你了解嗎








上海秦邦電子科技有限公司專注于可控硅模塊,英飛凌IGBT模塊,二極管模塊,整流橋模塊,熔斷器保險(xiǎn)絲,進(jìn)口晶閘管,德國西門康可控硅等, 歡迎致電 15995613456

• 詞條

  詞條說明

• 【英飛凌IGBT模塊】IGBT原理

  IGBT原理方法IGBT是將強(qiáng)電流、高壓應(yīng)用和快速終端設(shè)備用垂直功率MOSFET的自然進(jìn)化。由于實(shí)現(xiàn)一個(gè)較高的擊穿電壓BVDSS需要一個(gè)源漏通道，而這個(gè)通道卻具有很高的電阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS(on)數(shù)值高的特征，IGBT消除了現(xiàn)有功率MOSFET的這些主要缺點(diǎn)。雖然較新一代功率MOSFET 器件大幅度改進(jìn)了RDS(on)特性，但是在高電平時(shí)，功率導(dǎo)通損耗仍然要比IGBT 技術(shù)高

• 【二極管模塊】二極管工作原理

  二極管工作原理二極管的主要原理就是利用PN結(jié)的單向?qū)щ娦裕赑N結(jié)上加上引線和封裝就成了一個(gè)二極管。晶體二極管為一個(gè)由P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體形成的PN結(jié)，在其界面處兩側(cè)形成空間電荷層，并建有自建電場(chǎng)。當(dāng)不存在外加電壓時(shí)，由于PN結(jié)兩邊載流子濃度差引起的擴(kuò)散電流和自建電場(chǎng)引起的漂移電流相等而處于電平衡狀態(tài)。?當(dāng)外界有正向電壓偏置時(shí)，外界電場(chǎng)和自建電場(chǎng)的互相抑消作用使載流子的擴(kuò)散電流增加引起

• 熔斷器的主要作用是什么？

  熔斷器俗稱保險(xiǎn)絲或保險(xiǎn)管。早的保險(xiǎn)絲于一百多年前由愛迪生發(fā)明，由于當(dāng)時(shí)的工業(yè)技術(shù)不發(fā)達(dá)白熾燈很貴重，所以，初是將它用保險(xiǎn)絲來保護(hù)價(jià)格昂貴的白熾燈的。熔斷器保護(hù)電子設(shè)備不受過電流的傷害，也可避免電子設(shè)備因內(nèi)部故障所引起的嚴(yán)重傷害。因此，每個(gè)熔斷器上皆有額定規(guī)格，當(dāng)電流**過額定規(guī)格時(shí)保險(xiǎn)絲將會(huì)熔斷。當(dāng)介于常規(guī)不熔斷電流與相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的額定分?jǐn)嗄芰?的電流)之間的電流作用于熔斷器時(shí)，熔斷器應(yīng)能滿意地工作

• 【英飛凌IGBT模塊】IGBT工作特性

  IGBT工作特性靜態(tài)特性IGBT 的靜態(tài)特性主要有伏安特性、轉(zhuǎn)移特性。IGBT 的伏安特性是指以柵源電壓Ugs 為參變量時(shí)，漏較電流與柵較電壓之間的關(guān)系曲線。輸出漏較電流比受柵源電壓Ugs 的控制，Ugs 越高， Id 越大。它與GTR 的輸出特性相似．也可分為飽和區(qū)1 、放大區(qū)2 和擊穿特性3 部分。在截止?fàn)顟B(tài)下的IGBT ，正向電壓由J2 結(jié)承擔(dān)，反向電壓由J1結(jié)承擔(dān)。如果無N+緩沖區(qū)，則正反