【二極管模塊】二極管模塊應如何選型

時間：2025-01-16

二極管模塊應如何選型呢？

1、快恢復二極管模塊

快恢復二極管是一種能快速從通態(tài)轉變到關態(tài)的特殊晶體器件。導通時相當于開關閉合（電路接通），截止時相當于開關打開（電路切斷）。特性是開關速度快，快恢復二極管能夠在導通和截止之間快速轉化提高器件的使用頻率和改善波形。快恢復二極管模塊分400V快恢復二極管模塊，600V快恢復二極管模塊，1200V快恢復二極管模塊等。

2、整流器二極管模塊

整流二極管模塊是利用二極管正向導通，反向截止的原理，將交流電能轉變?yōu)橘|量電能的半導體器件。

特性是耐高壓，功率大，整流電流較大，工作頻率較低，主要用于各種低頻半波整流電路，或連成整流橋做全波整流。整流管模塊一般是400-3000V的電壓。

3、光伏防反二極管模塊

防反二極管也叫做防反充二極管，就是防止方陣電流反沖。在光伏匯流箱中選擇光伏防反二極管時，由于受到匯流箱IP65等級的限制，一般選擇模塊式的會較簡便。選擇防反二極管模塊的主要條件為壓降低、熱阻小、熱循環(huán)能力強。

18962647678

詞條
詞條說明
可控硅調速原理
可控硅調速是用改變可控硅導通角的方法來改變電機端電壓的波形,從而改變電機端電壓的有效值,達到調速的目的。當可控硅導通角=180時,電機端電壓波形為正弦波,即全導通狀態(tài);當可控硅導通角<180時,即非全導通狀態(tài),電壓有效值減小;導通角越小,導通狀態(tài)越少,則電壓有效值越小,所產生的磁場越小,則電機的轉速越低。由以上的分析可知,采用可控硅調速其電機的轉速可連續(xù)調節(jié)。CPU⑥腳輸出的驅動信號經Q5放
【進口吸收電容】吸收電容作用
吸收電容在電路中起的作用類似于低通濾波器，可以吸收掉尖峰電壓。通常用在有絕緣柵雙較型晶體管（IGBT），消除由于母排的雜散電感引起的尖峰電壓，避免絕緣柵雙較型晶體管的損壞。母線電感以及緩沖電路及其元件內部的雜散電感，對IGBT 電路尤其是大功率IGBT 電路，有較大的影響。因此，希望它愈小愈好。要減小這些電感，需從多方面入手。**，直流母線要盡量地短；*二，緩沖電路要盡可能地貼近模塊；*三，選用
關于IGBT功率模塊的智能驅動器設計
? ? ? 其功率模塊采用雙功率模塊設計，即每個模塊由兩個開關單元組成。為保證功率IGBT在高頻、高壓、大電流下工作，要設計可靠的柵較驅動電路。一個性能良好的驅動電路要求觸發(fā)脈沖應具有足夠快的上升和下降速度，即在開通瞬時,驅動電路應能提供足夠大的充電電流,使IGBT柵源較間電壓迅速上升到所需值,并保持穩(wěn)定,以保證其可靠導通,且不存在上升沿的高頻振蕩;在關斷瞬時,驅動電
【英飛凌IGBT銷售】IGBT結構
一個N溝道增強型絕緣柵雙較晶體管結構， N+區(qū)稱為源區(qū)，附于其上的電極稱為源較（即**較E）。N基較稱為漏區(qū)。器件的控制區(qū)為柵區(qū)，附于其上的電極稱為柵較（即門較G）。溝道在緊靠柵區(qū)邊界形成。在C、E兩較之間的P型區(qū)（包括P+和P-區(qū)）（溝道在該區(qū)域形成），稱為亞溝道區(qū)（Subchannel region）。而在漏區(qū)另一側的P+區(qū)稱為漏注入區(qū)（Drain injector），它是IGBT特有的功能區(qū)