EM6AA160 SDRAM是一種高速CMOS雙數(shù)據(jù)速率同步DRAM,包含256Mbit。 它在內(nèi)部配置為一個(gè)4米x 16的DRAM,帶有一個(gè)同步接口(所有信號(hào)都記錄在時(shí)鐘信號(hào)CK的正邊緣)。 數(shù)據(jù)輸出發(fā)生在CK和CK的上升沿。對(duì)SDRAM的讀寫訪問是面向突發(fā)的;訪問從選定的位置開始,然后按編程順序繼續(xù)訪問編程的多個(gè)位置。 訪問首先注冊(cè)BankActivate命令,然后是讀或?qū)懨?。EM6AA160提供2、4或8的可編程讀或?qū)懲话l(fā)長(zhǎng)度。 可啟用自動(dòng)預(yù)充電功能,以提供在突發(fā)序列結(jié)束時(shí)啟動(dòng)的自動(dòng)定時(shí)行預(yù)充電。刷新功能,無論是自動(dòng)刷新還是自刷新都很容易使用。此外,EM6AA160還具有可編程DLL選項(xiàng)。 通過具有可編程模式寄存器和擴(kuò)展模式寄存器,系統(tǒng)可以選擇較合適的模式以較大限度地提高其性能。 這些設(shè)備非常適合需要高內(nèi)存帶寬的應(yīng)用;使設(shè)備特別適合于高性能主存儲(chǔ)器和圖形應(yīng)用程序。
詞條
詞條說明
供應(yīng) REF195FSZ-REEL 絲印REF195F 封裝 SOIC-8 電壓基準(zhǔn)芯片 原裝**
描述 REF19x系列精密帶隙電壓參考文獻(xiàn)使用了一種**的溫度漂移曲率校正電路和高度穩(wěn)定的薄膜電阻的激光修剪,以實(shí)現(xiàn)很低的溫度系數(shù)和很高的初始精度。 REF19x系列由微功率、低輟學(xué)電壓(LDV)器件組成,提供穩(wěn)定的電源輸出電壓,**輸出電壓100mV,消耗小于45μA的電源電流。在睡眠模式下,通過應(yīng)用低TTL或CMOS水平,輸出關(guān)閉,電源電流進(jìn)一步減少到15μA以下。 REF19x系列參考文獻(xiàn)在
全新原裝 2SK208-GR SOT-23 MOS場(chǎng)效應(yīng)管 貼片三極管
2SK208 通用用途和阻抗轉(zhuǎn)換器和冷凝器麥克風(fēng)的應(yīng)用 ?高擊穿電壓:VGDS=?50伏 ?高輸入阻抗:IGSS=?1.0 nA(較大值)(VGS=?30伏) ?低噪聲:NF=0.5dB(典型值)(RG=100K?, f=120赫茲) ?小包裝。 **較大額定值(Ta=25°C) 特性符號(hào)額定單元門-排水電壓VGDS?50V 門電流IG10mA排水功率PD100mW 連接溫度Tj125°C存儲(chǔ)溫度
B0505S-2WR2 DC電源模塊 隔離穩(wěn)壓5V
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英飛凌mos管原裝IPA80R600P7XKSA1**N溝道功率場(chǎng)效應(yīng)
MOSFET 800V、CoolMOSa、P7、功率晶體管 較新的800V CoolMOS?P7系列設(shè)置了一個(gè)新的基準(zhǔn),采用800V **級(jí)、連接、技術(shù)和結(jié)合了*的性能和 英飛凌18年來較**的易用性 開拓性、**級(jí)、交叉、技術(shù)、創(chuàng)新。 特征 ?同類較佳 FOM RDS(on)* EOS;減少的、Qg、Ciss和Coss ?“同類較佳”、DPAK、RDS(on) ?“同類較佳”、3V的V
公司名: 深圳市南北行電子發(fā)展有限公司
聯(lián)系人: 周斯琪
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REF195FSZ-REEL 絲印REF195F 封裝 SOIC-8 電壓基準(zhǔn)芯片 原裝**
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