供應(yīng) 全新原裝 EM6AA160TSE-5G EM6AA160 內(nèi)存 閃存芯片

    EM6AA160 SDRAM是一種高速CMOS雙數(shù)據(jù)速率同步DRAM,包含256Mbit。
    它在內(nèi)部配置為一個(gè)4米x 16的DRAM,帶有一個(gè)同步接口(所有信號(hào)都記錄在時(shí)鐘信號(hào)CK的正邊緣)。
    數(shù)據(jù)輸出發(fā)生在CK和CK的上升沿。對(duì)SDRAM的讀寫訪問是面向突發(fā)的;訪問從選定的位置開始,然后按編程順序繼續(xù)訪問編程的多個(gè)位置。
    訪問首先注冊(cè)BankActivate命令,然后是讀或?qū)懨?。EM6AA160提供2、4或8的可編程讀或?qū)懲话l(fā)長(zhǎng)度。
    可啟用自動(dòng)預(yù)充電功能,以提供在突發(fā)序列結(jié)束時(shí)啟動(dòng)的自動(dòng)定時(shí)行預(yù)充電。刷新功能,無論是自動(dòng)刷新還是自刷新都很容易使用。此外,EM6AA160還具有可編程DLL選項(xiàng)。
    通過具有可編程模式寄存器和擴(kuò)展模式寄存器,系統(tǒng)可以選擇較合適的模式以較大限度地提高其性能。
    這些設(shè)備非常適合需要高內(nèi)存帶寬的應(yīng)用;使設(shè)備特別適合于高性能主存儲(chǔ)器和圖形應(yīng)用程序。

    深圳市南北行電子發(fā)展有限公司專注于IC類,阻容類,二三極管類,變壓器類,連接器類,按鍵類,私人訂制BOM配單等

  • 詞條

    詞條說明

  • 供應(yīng) REF195FSZ-REEL 絲印REF195F 封裝 SOIC-8 電壓基準(zhǔn)芯片 原裝**

    描述 REF19x系列精密帶隙電壓參考文獻(xiàn)使用了一種**的溫度漂移曲率校正電路和高度穩(wěn)定的薄膜電阻的激光修剪,以實(shí)現(xiàn)很低的溫度系數(shù)和很高的初始精度。 REF19x系列由微功率、低輟學(xué)電壓(LDV)器件組成,提供穩(wěn)定的電源輸出電壓,**輸出電壓100mV,消耗小于45μA的電源電流。在睡眠模式下,通過應(yīng)用低TTL或CMOS水平,輸出關(guān)閉,電源電流進(jìn)一步減少到15μA以下。 REF19x系列參考文獻(xiàn)在

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