FIB/SEM/EDX技術指標

時間：2020-04-15

聚焦離子束顯微鏡FIB/SEM/EDX FEI Scios 2 DualBeam技術指標
一、技術指標
1、電子束電流范圍：1 pA - 400 nA；
2、電子束電壓：200eV-30 keV，具有減速模式
3、電子束分辨率：0.7 nm (30 keV)、1.4 nm(1 keV)
4、大束流Sidewinder離子鏡筒；
5、離子束加速電壓500V-30kV（分辨率：3.0 nm）；
6、離子束束流1.5pA-65nA，15孔光闌。

二、配置情況
1、GIS氣體注入：Pt沉積
2、ETD SE、T1（筒內低位）、T（高位）探頭
3、Nav-camTM：樣品室內光學導航相機
4、AutoTEM4、Autoslice、Map for3D自動拼圖、NanoBuilder納米加工軟件。

三、適用樣品
半導體、金屬、陶瓷材料微納加工及觀察分析，成分分析

四、檢測內容
1、IC芯片電路修改
2、Cross-Section 截面分析
3、Probing Pad
4、FIB微納加工
5、材料鑒定
6、EDX成分分析

五、設備簡介
FEI Scios 2 DualBeam系統(tǒng)在Scios系統(tǒng)的基礎上進行了升級，較加適用于金屬、復合材料和涂層，特點是適用磁性樣品、借助漂移抑制對不導電的樣品可以進行操作、Trinity檢測套件可同步檢測材料、形態(tài)和邊緣對比對度，大大提高效率、軟件可以實現三維數據立方體分析金屬中夾雜物大小和分布、*有的工作流模式，可以設定程序，降低操作員的難度。在**大樣品倉中集成了大尺寸的五軸電動樣品臺，XY軸具有110mm移動范圍，Z方向具有85mm升降空間。

詞條
詞條說明
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