西門(mén)子PLC222CN可編程控制器

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SIMATIC S7-200 SMART (Mao, Dong)

小型可編程控制器 & SMART LINE 精彩系列面板

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標(biāo)準(zhǔn)型	6ES7288-1SR20-0AA1	S7-200 SMART，CPU SR20，標(biāo)準(zhǔn)型 CPU 模塊，繼電器輸出，220 V AC 或110 DC供電，12 輸入/8 輸出
	6ES7288-1ST20-0AA1	S7-200 SMART，CPU ST20，標(biāo)準(zhǔn)型 CPU 模塊，晶體管輸出，24 V DC 供電，12 輸入/8 輸出
	6ES7288-1SR30-0AA1	S7-200 SMART，CPU SR30，標(biāo)準(zhǔn)型 CPU 模塊，繼電器輸出，220 V AC 或110 DC供電，18 輸入/12 輸出
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三極管，全稱半導(dǎo)體三極管，也稱雙較型晶體管、晶體三極管，是一種控制電流的半導(dǎo)體器件其作用是把微弱信號(hào)放大成幅度值較大的電信號(hào)， 也用作無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)。

三極管，是半導(dǎo)體基本元器件之一，具有電流放大作用，是電子電路的**元件。三極管是在一塊半導(dǎo)體基片上制作兩個(gè)相距很近的PN結(jié)，兩個(gè)PN結(jié)把整塊半導(dǎo)體分成三部分，中間部分是基區(qū)，兩側(cè)部分是**區(qū)和集電區(qū)，排列方式有PNP和NPN兩種。

**區(qū)和基區(qū)之間的PN結(jié)叫**結(jié)，集電區(qū)和基區(qū)之間的PN結(jié)叫集電結(jié)?；鶇^(qū)很薄，而**區(qū)較厚，雜質(zhì)濃度大，PNP型三極管**區(qū)"**"的是空穴，其移動(dòng)方向與電流方向一致，故**較頭向里;NPN型三極管**區(qū)"**"的是自由電子，其移動(dòng)方向與電流方向相反，故**較頭向外。**較頭指向也是PN結(jié)在正向電壓下的導(dǎo)通方向。硅晶體三極管和鍺晶體三極管都有PNP型和NPN型兩種類(lèi)型。從三個(gè)區(qū)引出相應(yīng)的電極，分別為基較b**較e和集電極c。







NPN型三極管

在制造三極管時(shí)，有意識(shí)地使**區(qū)的多數(shù)載流子濃度大于基區(qū)的，同時(shí)基區(qū)做得很薄，而且，要嚴(yán)格控制雜質(zhì)含量，這樣，一旦接通電源后，由于**結(jié)正偏，**區(qū)的多數(shù)載流子(電子)及基區(qū)的多數(shù)載流子(空穴)很地越過(guò)**結(jié)互相向?qū)Ψ綌U(kuò)散，但因前者的濃度基大于后者，所以通過(guò)**結(jié)的電流基本上是電子流，這股電子流稱為**較電流子。

三極管按材料分有兩種：硅管和鍺管。而每一種又有NPN和PNP兩種結(jié)構(gòu)形式，但使用較多的是硅NPN和鍺PNP兩種三極管，(其中，N表示在高純度硅中加入磷，取代一些硅原子，在電壓刺激下產(chǎn)生自由電子導(dǎo)電，而p是加入硼取代硅，產(chǎn)生大量空穴利于導(dǎo)電);兩者除了電源極性不同外，其工作原理都是相同的，下面僅介紹NPN硅管的電流放大原理。

對(duì)于NPN管，它是由2塊N型半導(dǎo)體中間夾著一塊P型半導(dǎo)體所組成，**區(qū)與基區(qū)之間形成的PN結(jié)稱為**結(jié),而集電區(qū)與基區(qū)形成的PN結(jié)稱為集電結(jié),三條引線分別稱為**較e (Emitter)、基較b (Base)和集電極c (Collector)。







當(dāng)b點(diǎn)電位**e點(diǎn)電位零點(diǎn)幾伏時(shí)，**結(jié)處于正偏狀態(tài)，而C點(diǎn)電位**b點(diǎn)電位幾伏時(shí)，集電結(jié)處于反偏狀態(tài)，集電極電源Ec要**基較電源Eb。

我們把從基較B流至**較E的電流叫做基較電流Ib;把從集電極C流至**較E的電流叫做集電極電流 Ic。這兩個(gè)電流的方向都是流出**較的，所以**較E上就用了一個(gè)頭來(lái)表示電流的方向。

三極管是一種控制元件，主要用來(lái)控制電流的大小，以共**較接法為例(信號(hào)從基較輸入，從集電極輸出，**較接地)，當(dāng)基較電壓UB有一個(gè)微小的變化時(shí)，基較電流IB也會(huì)隨之有一小的變化，受基較電流IB的控制，集電極電流IC會(huì)有一個(gè)很大的變化，基較電流IB越大，集電極電流IC也越大，反之，基較電流越小，集電極電流也越小，即基較電流控制集電極電流的變化。但是集電極電流的變化比基較電流的變化大得多，這就是三極管的放大作用。IC 的變化量與IB變化量之比叫做三極管的放大倍數(shù)β(β=ΔIC/ΔIB, Δ表示變化量。)，三極管的放大倍數(shù)β一般在幾十到幾百倍。

由于基區(qū)很薄,加上集電結(jié)的反偏，注入基區(qū)的電子大部分越過(guò)集電結(jié)進(jìn)入集電區(qū)而形成集電極電流Ic，只剩下很少(1-10%)的電子在基區(qū)的空穴進(jìn)行復(fù)合，被復(fù)合掉的基區(qū)空穴由基較電源Eb重新補(bǔ)給，從而形成了基較電流Ib。根據(jù)電流連續(xù)性原理得：

Ie=Ib Ic

這就是說(shuō)，在基較補(bǔ)充一個(gè)很小的Ib，就可以在集電極上得到一個(gè)較大的Ic，這就是所謂電流放大作用，Ic與Ib是維持一定的比例關(guān)系，即：

β1=Ic/Ib

式中：β1--稱為直流放大倍數(shù)，

集電極電流的變化量△Ic與基較電流的變化量△Ib之比為：

β= △Ic/△Ib

式中β--稱為交流電流放大倍數(shù)，由于低頻時(shí)β1和β的數(shù)值相差不大，所以有時(shí)為了方便起見(jiàn)，對(duì)兩者不作嚴(yán)格區(qū)分，β值約為幾十至幾百。

α1=Ic/Ie(Ic與Ie是直流通路中的電流大小)

式中：α1也稱為直流放大倍數(shù)，一般在共基較組態(tài)放大電路中使用，描述了**較電流與集電極電流的關(guān)系。

α =△Ic/△Ie

表達(dá)式中的α為交流共基較電流放大倍數(shù)。同理α與α1在小信號(hào)輸入時(shí)相差也不大。

對(duì)于兩個(gè)描述電流關(guān)系的放大倍數(shù)有以下關(guān)系β=a/(1-a)。

三極管的放大作用就是：集電極電流受基較電流的控制(設(shè)電源 能夠提供給集電極足夠大的電流的話)，并且基較電流很小的變化，會(huì)引起集電極電流很大的變化，且變化滿足一定的比例關(guān)系：集電極電流的變化量是基較電流變 化量的β倍，即電流變化被放大了β倍，所以我們把β叫做三極管的放大倍數(shù)(β一般遠(yuǎn)大于1，例如幾十，幾百)。

西門(mén)子PLC222CN,可編程控制器,CPU模塊,軟件供應(yīng),DP電纜

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