熱電偶元件是在工業(yè)、科研中廣泛使用的一種溫度傳感器,具有測(cè)溫范圍廣,堅(jiān)固耐用,無(wú)自發(fā)熱現(xiàn)象,使用方便等優(yōu)點(diǎn)。薄膜熱電偶除了繼承上述普通熱電偶的優(yōu)點(diǎn)外,還具有熱容小,響應(yīng)速度快,幾乎不占用空間,對(duì)被測(cè)物體影響小的優(yōu)點(diǎn)。本研究為制備K型薄膜熱電偶選擇了電子束蒸發(fā)鍍,磁控濺射,多弧離子鍍?nèi)NPVD方法。其中一部分樣片的NiCr/NiSi薄膜均由磁控濺射均由磁控濺射沉積,另一部分樣片的NiCr薄膜由磁控濺射沉積,而NiSi薄膜由電子束蒸發(fā)沉積。所制備得到的薄膜熱電偶樣片使用SEM(EDS),數(shù)顯溫度儀,恒溫爐進(jìn)行了表征和靜態(tài)標(biāo)定。結(jié)果表明這兩部分樣片均存在合金成分偏析的現(xiàn)象,平均Seebeck系數(shù)與國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)也有較大差異。
分析后我們認(rèn)為:
(1)在鄭州科探儀器磁控濺射中,濺射產(chǎn)額和濺射能量閾值是引起合金膜偏析的重要原因,不同元素的濺射產(chǎn)額和濺射能量閾值差別越大,偏析現(xiàn)象越嚴(yán)重。同時(shí)還和實(shí)驗(yàn)順序有關(guān),隨著實(shí)驗(yàn)進(jìn)行偏析現(xiàn)象有所減弱,這是由于靶面和靶深層原子濃度不同引起原子擴(kuò)散導(dǎo)致的。
(2)在電子束蒸發(fā)中,NiSi合金物料的偏析主要是由熔融的Ni、Si二者密度差距太大,物料在坩堝中分層引起的。同時(shí)隨著實(shí)驗(yàn)的進(jìn)行偏析現(xiàn)象會(huì)越來(lái)越嚴(yán)重,因?yàn)槊芏容^小的Si始終在物料上方,在蒸鍍過(guò)程中逐漸耗盡而只剩下Ni。此外,本文研究還使用電弧離子鍍嘗試沉積了 NiSi膜,結(jié)果有嚴(yán)重的“跑弧”現(xiàn)象,實(shí)驗(yàn)無(wú)法正常進(jìn)行。我們結(jié)合靶周?chē)艌?chǎng)的結(jié)果和真空陰極電弧的基本理論對(duì)這種異常的弧光放電進(jìn)行了分析。結(jié)果表明Ni的高臨界場(chǎng)強(qiáng)和受干擾的磁場(chǎng)都會(huì)使電弧向靶外移動(dòng),導(dǎo)致“跑弧”。后針對(duì)“跑弧”提出了一些解決方案。
詞條
詞條說(shuō)明
小型濺射儀儀問(wèn)儀答近小伙伴對(duì)于濺射儀使用和技術(shù)參數(shù)問(wèn)的問(wèn)題比較多,今天總結(jié)一下濺射儀的一些常見(jiàn)的技術(shù)問(wèn)題:1、膜厚檢測(cè)儀原理:膜厚監(jiān)測(cè)儀是采用石英晶體振蕩原理,利用頻率測(cè)量技術(shù)加上的數(shù)學(xué)算法,進(jìn)行膜厚的在線(xiàn)鍍膜速率和實(shí)時(shí)厚度計(jì)算。主要應(yīng)用于MBE、OLED或金屬熱蒸發(fā)、磁控濺射設(shè)備的薄膜制備過(guò)程中,對(duì)膜層厚度及鍍膜速率進(jìn)行實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)。2、濺射儀是否可以鍍鎳:可以鍍鎳 ?但是 鎳是導(dǎo)磁金屬
濕度和氣體濃度實(shí)驗(yàn)設(shè)備產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)
這個(gè)帶有濕度控制的氣體濃度發(fā)生器具有一系列強(qiáng)大的功能和性能參數(shù),特別適合需要在高濕度和寬范圍氣體濃度中準(zhǔn)確控制和檢測(cè)的應(yīng)用。以下是一些關(guān)鍵的性能參數(shù)和特性:- AI智能控制算法:采用**的AI智能控制算法,能夠在大范圍的氣體濃度比例下準(zhǔn)確穩(wěn)定地控制氣體濕度。- 寬廣的濃度稀釋范圍:該設(shè)備的濃度稀釋范圍為1-5000倍,適應(yīng)各種應(yīng)用環(huán)境。- 高精度流量檢測(cè):流量檢測(cè)精度可達(dá)到±1% F.S,流量線(xiàn)性
?? ? ? ? ? ? ?鄭科探小型濺射儀功能優(yōu)勢(shì)1、樣品臺(tái)旋轉(zhuǎn),多樣品同時(shí)鍍膜時(shí),鍍膜厚度比較均勻。2、預(yù)濺射擋板功能,剛開(kāi)始鍍膜的時(shí)候腔室里會(huì)有些雜質(zhì),擋板可以保護(hù)樣品,提高薄膜質(zhì)量3、帶有水冷系統(tǒng),可以長(zhǎng)時(shí)間濺射鍍膜,厚度可達(dá)1微米以上。4、直流磁控濺射,提高附著力,濺射速率快,比離子濺射快上一個(gè)量級(jí)。針對(duì)某些
真空探針臺(tái)優(yōu)勢(shì)和適用于那些科研
KT-Z1604T探針臺(tái)主要應(yīng)用于傳感器,半導(dǎo)體,光電,集成電路以及封裝的測(cè)試。 廣泛應(yīng)用于復(fù)雜、高速器件的精密電氣測(cè)量的研發(fā),旨在確保質(zhì)量及可靠性,并縮減研發(fā)時(shí)間和器件制造工藝的成本。??? 該探針臺(tái)的承載臺(tái)為60x60不銹鋼臺(tái)面,臺(tái)面較高可升溫到較高350℃。真空腔體設(shè)計(jì)有進(jìn)氣口和抽真空接口。探針臂為X/Y/Z三軸移動(dòng),三個(gè)方向均可在真空環(huán)境下精密移位調(diào)節(jié),其中X
公司名: 鄭州科探儀器設(shè)備有限公司
聯(lián)系人: 裴先生
電 話(huà):
手 機(jī): 15136134901
微 信: 15136134901
地 址: 河南鄭州中原區(qū)鄭州**產(chǎn)業(yè)開(kāi)發(fā)區(qū)西三環(huán)路289號(hào)6幢11單元3層73號(hào)
郵 編:
網(wǎng) 址: zzketan.b2b168.com
公司名: 鄭州科探儀器設(shè)備有限公司
聯(lián)系人: 裴先生
手 機(jī): 15136134901
電 話(huà):
地 址: 河南鄭州中原區(qū)鄭州**產(chǎn)業(yè)開(kāi)發(fā)區(qū)西三環(huán)路289號(hào)6幢11單元3層73號(hào)
郵 編:
網(wǎng) 址: zzketan.b2b168.com