1、先要熟練掌握該電路中IC的主要用途、內(nèi)部結(jié)構(gòu)基本原理、關(guān)鍵電性能等,必要時(shí)也要剖析內(nèi)部結(jié)構(gòu)電路原理圖。除開這些,如還有各腳位對(duì)地直流電壓、波形、對(duì)地正反向直流電阻值,那么,對(duì)查驗(yàn)前分辨提供了較客觀條件;
2、隨后按系統(tǒng)故障問題分辨其位置,再按位置查尋故障元器件。有時(shí)候需用幾種分辨方法去證實(shí)該電子元器件是不是確屬毀壞。
3、通常對(duì)電路中IC的查驗(yàn)分辨方法有二種:一是不在線分辨,即電路中IC未焊入集成電路板的分辨。這個(gè)方法在沒有**實(shí)驗(yàn)室設(shè)備的狀態(tài)下,要確認(rèn)該電路中IC的產(chǎn)品質(zhì)量?jī)?yōu)劣是很艱難的,通常狀況下能用直流電阻法測(cè)量各腳位相匹配于接地裝置腳間的正反向電阻值,并和完好無損集成電路芯片進(jìn)行比較,還可以選用替代法把嫌疑的集成電路芯片 ** 正常機(jī)器設(shè)備同型號(hào)集成電路芯片的部位上來判定其好壞。當(dāng)然有條件可使用集成電路芯片儀器對(duì)基本參數(shù)完成定量分析檢測(cè),這樣應(yīng)用就較有**。
詞條
詞條說明
集成電路芯片的EMI來源PCB中集成電路EMI的來源主要有:數(shù)字集成電路從邏輯高到邏輯低之間轉(zhuǎn)換或者從邏輯低到邏輯高之間轉(zhuǎn)換過程中,輸出端產(chǎn)生的方波信號(hào)頻率導(dǎo)致的EMI;信號(hào)電壓和信號(hào)電流電場(chǎng)和磁場(chǎng);IC芯片自身的電容和電感等。集成電路芯片輸出端產(chǎn)生的方波中包含頻率范圍寬廣的正弦諧波分量,這些正弦諧波分量構(gòu)成工程師所關(guān)心的EMI頻率成分。較高EMI頻率也稱為EMI**帶寬,它是信號(hào)上升時(shí)間(而不是
集成電路芯片偏置和驅(qū)動(dòng)的電源電壓Vcc是選擇IC時(shí)要注意的重要問題。從IC電源管腳吸納的電流,主要取決于該電壓值以及該IC芯片輸出級(jí)驅(qū)動(dòng)的傳輸線(PCB線和地返回路徑)阻抗。5 V電源電壓的IC芯片驅(qū)動(dòng)50Ω?jìng)鬏斁€時(shí),吸納的電流為100mA;3.3 V電源電壓的IC芯片驅(qū)動(dòng)同樣的50Ω?jìng)鬏斁€時(shí),吸納電流將減小到66 mA;1.8 V電壓的IC芯片驅(qū)動(dòng)同樣的50Ω?jìng)鬏斁€時(shí),吸納電流將減小到36 mA
芯片較初的模樣我們都見過,就是“沙子”,其主要成分為二氧化硅,對(duì)沙子進(jìn)行提煉處理后就能得到集成電路芯片的原材料“硅”。 硅是一種很*特的化學(xué)元素,由于其導(dǎo)電能力介于半導(dǎo)體與絕緣體之間,因此受到了半導(dǎo)體領(lǐng)域的較大歡迎?!肮琛痹俳?jīng)過純化、拉晶、切割之后成為硅晶圓,然后經(jīng)過涂層、顯影、蝕刻、去除光阻等步驟較終形成一個(gè)滿足功能需求的電路架構(gòu)。簡(jiǎn)單來說,IC制造則是在硅晶圓上制造數(shù)以萬計(jì)獨(dú)立的晶體管器件,然
存儲(chǔ)芯片,是嵌入式系統(tǒng)芯片的概念在存儲(chǔ)行業(yè)的具體應(yīng)用。因此,無論是系統(tǒng)芯片還是存儲(chǔ)芯片,都是通過在單一芯片中嵌入軟件,實(shí)現(xiàn)多功能和高性能,以及對(duì)多種協(xié)議、多種硬件和不同應(yīng)用的支持。模擬芯片是處理連續(xù)性的光、聲音、速度、溫度等自然模擬信號(hào)。模擬芯片作為連接上述各類物理信息與數(shù)字電子系統(tǒng)的媒介,同時(shí)需要制造工藝、電路設(shè)計(jì)和半導(dǎo)體組件物理的相互配合,在芯片效能及成本上尋求較優(yōu)化,由于其決定了產(chǎn)品較終呈現(xiàn)
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