芯片(chip),又稱微芯片(microchip),是集成電路的載體。一般而言,芯片(IC)泛指所有的半導(dǎo)體元器件,是在硅板上集合多種電子元器件實(shí)現(xiàn)某種特定功能的電路模塊。它是電子設(shè)備中*重要的部分,承擔(dān)著運(yùn)算和存儲(chǔ)的功能。
溫度的改變對(duì)半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力、極限電壓、極限電流以及開關(guān)特性以及開關(guān)特性等都有很大的影響。當(dāng)溫度過高時(shí)元器件體積發(fā)生膨脹、擠壓,半導(dǎo)體芯片可能因?yàn)閿D壓產(chǎn)生裂紋報(bào)廢。如果溫度過低,往往會(huì)造成芯片在額定工作電壓下無法打開其內(nèi)部的半導(dǎo)體開關(guān),導(dǎo)致其不能正常工作。
所以在芯片生產(chǎn)過程中需要對(duì)其進(jìn)行冷熱沖擊試驗(yàn)。一般情況下,民用芯片的正常溫度范圍是0℃-70℃,**芯片能較高,正常工作溫度范圍是-55℃-125℃。
冷熱沖擊試驗(yàn)箱(高低溫沖擊試驗(yàn)箱)可以為電子芯片提供幾秒內(nèi)溫度驟變的環(huán)境,,測試其材料對(duì)高、低溫的反復(fù)抵拉力及產(chǎn)品于熱脹冷縮產(chǎn)出的化學(xué)變化或物理傷害。冷熱沖擊試驗(yàn)箱經(jīng)常被用來做適應(yīng)性試驗(yàn)及對(duì)電子元器件的**可靠性試驗(yàn)和產(chǎn)品篩選。
宏展儀器十九年專注于可靠性環(huán)境試驗(yàn)設(shè)備研發(fā)與生產(chǎn),冷熱沖擊試驗(yàn)箱也是主打產(chǎn)品之一。冷熱沖擊試驗(yàn)箱分兩箱(提籃式)冷熱沖擊試驗(yàn)箱和三箱(氣動(dòng)式)冷熱沖擊試驗(yàn)箱。滿足-70~150℃的溫度沖擊,溫度驟變時(shí)間在10秒~3分鐘內(nèi)完成。更多電子產(chǎn)品芯片可靠性測試可以與宏展專業(yè)團(tuán)隊(duì)交流溝通。
詞條
詞條說明
太陽能試驗(yàn)規(guī)范列表整理 項(xiàng)目 標(biāo)準(zhǔn)號(hào) ?標(biāo)準(zhǔn)名稱 1 GB 11011-89 非晶硅太陽能電池性能測試的一般規(guī)定 2 GB 12632-90 單晶硅太陽能電池總規(guī)范 3 GB/T 12936.2-1991 太陽能熱利用術(shù)語*二部分(Solar energy—Thermal applications—Terminology part 2) 4 GB/T 12936.1-1991 太陽能熱
電子產(chǎn)品高低溫測試檢測項(xiàng)目biao準(zhǔn)及方法
高低溫測試又叫作高低溫循環(huán)測試,是環(huán)境ke靠性測試中的一項(xiàng),試驗(yàn)?zāi)康氖窃u(píng)**低溫條件對(duì)裝備在存儲(chǔ)和工作期間的性能影響?;旧纤械漠a(chǎn)品都是在一定的溫度環(huán)境下存儲(chǔ)保存,或者工作運(yùn)行。因?yàn)楫a(chǎn)品在制造、搬運(yùn)或儲(chǔ)存應(yīng)用時(shí)會(huì)面臨著各種各樣不同的溫濕度、氣候以及外界條件的等等影響。這些氣候?qū)Ξa(chǎn)品產(chǎn)生物理性質(zhì)及機(jī)械性質(zhì)甚到是化學(xué)性質(zhì)的改變,所以會(huì)令產(chǎn)品失去效果,降di**或生產(chǎn)危險(xiǎn),因此世jie各guo制定了各
太陽輻射試驗(yàn)箱/氙燈老化試驗(yàn)箱/紅外燈老化試驗(yàn)箱/紫外光加速老化試驗(yàn)機(jī)
太陽輻射試驗(yàn)箱/氙燈老化試驗(yàn)箱/紅外燈老化試驗(yàn)箱/紫外光加速老化試驗(yàn)機(jī) 主要技術(shù)參數(shù) 溫度范圍 10℃~+70℃(無光照條件) 備注: 1、均在空箱條件下(注明除外),按GB/T5170測試 2、風(fēng)冷型試驗(yàn)箱系在室溫25℃時(shí)且通風(fēng)良好條件下所測試數(shù)據(jù);當(dāng)35℃≥室溫>25℃時(shí),可正常使用,但低溫范圍、降溫速率及熱負(fù)載能力會(huì)受一定影響。 3、水冷型試驗(yàn)箱在水溫≤28℃、水壓在0.2MPa~0.6MP
顯示器技術(shù)比較表: ? TFT PDP FED OELD或OLED LTPS LED ELD TN STN 英文全稱 Thin Film Transistor LCD Plasma Display Panel Field Emission Display Organic Electro- Luminescene Display Low Temperature Poly-Silicon
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