回收三極管、使用三極管時(shí)的注意事項(xiàng):用三極管時(shí)需要考慮以下問(wèn)題

    回收三極管、三極管放大原理:

    1、**區(qū)向基區(qū)**電子:電源Ub經(jīng)過(guò)電阻Rb加在**結(jié)上,**結(jié)正偏,**區(qū)的多數(shù)載流子(自由電子)不斷地越過(guò)**結(jié)進(jìn)入基區(qū),形成**較電流Ie。同時(shí)基區(qū)多數(shù)載流子也向**區(qū)擴(kuò)散,但由于多數(shù)載流子濃度遠(yuǎn)****區(qū)載流子濃度,可以不考慮這個(gè)電流,因此可以認(rèn)為**結(jié)主要是電子流;

    2、基區(qū)中電子的擴(kuò)散與復(fù)合:電子進(jìn)入基區(qū)后,先在靠近**結(jié)的附近密集,漸漸形成電子濃度差,在濃度差的作用下,促使電子流在基區(qū)中向集電結(jié)擴(kuò)散,被集電結(jié)電場(chǎng)拉入集電區(qū)形成集電極電流Ic。也有很小一部分電子(因?yàn)榛鶇^(qū)很?。┡c基區(qū)的空穴復(fù)合,擴(kuò)散的電子流與復(fù)合電子流之比例決定了三極管的放大能力;

    3、集電區(qū)收集電子:由于集電結(jié)外加反向電壓很大,這個(gè)反向電壓產(chǎn)生的電場(chǎng)力將阻止集電區(qū)電子向基區(qū)擴(kuò)散,同時(shí)將擴(kuò)散到集電結(jié)附近的電子拉入集電區(qū)從而形成集電極主電流Icn。另外集電區(qū)的少數(shù)載流子(空穴)也會(huì)產(chǎn)生漂移運(yùn)動(dòng),流向基區(qū)形成反向飽和電流,用Icbo來(lái)表示,其數(shù)值很小,但對(duì)溫度卻異常敏感。


    回收三極管、使用三極管時(shí)的注意事項(xiàng):用三極管時(shí)需要考慮以下問(wèn)題:

    1、耐壓是否處于正常范圍 ;

    2、負(fù)載電流夠不夠大 ;

    3、速度夠不夠快,或者慢速 ;

    4、基較控制電流夠不夠 ;

    5、有時(shí)考慮功率問(wèn)題;

    6、有時(shí)考慮漏電流問(wèn)題,能否完全截止 ;

    7、一般不用考慮增益。

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  • 詞條

    詞條說(shuō)明

  • 電子元器件回收之二三極管封裝分類及說(shuō)明

    二極管常用封裝有玻璃封裝,金屬封裝和塑料封裝幾種.二極管的封裝形式常見的有如下類型:貼片二極管常見封裝:SOD 123 ,SOD-323,SOD-523,SOD-723,SOT-23,SOT-323,SOT-523,A/DO-214AC,B/DO-214AA,C/DO-214AB等封裝形式。插件二極管常見封裝:A-405封裝,A-405封裝,二極管DO-15,DO-27封裝,DO-35封裝,DO-

  • 電子廢料回收**在哪?

    關(guān)于電子廢料回收**在哪?這個(gè)問(wèn)題小編給大家來(lái)簡(jiǎn)單介紹下,目前我國(guó)智能手機(jī)等仙子產(chǎn)品越來(lái)越發(fā)達(dá),而且更換周期短,形成了大量的電子廢料。較可怕的是這種電子廢料回收率還不到2%,這對(duì)于環(huán)境保護(hù)是非常不利的。電子廢料回收不單單包括手機(jī),還有很多電器家電,數(shù)碼產(chǎn)品等等,隨著廢棄電子產(chǎn)品的增多,環(huán)境保護(hù)問(wèn)題的**以及整體經(jīng)濟(jì)環(huán)境下行壓力增大,電子廢料必須要盡快得到妥善處理。否則,再經(jīng)過(guò)一段時(shí)間的發(fā)展,很難想

  • 廢銅按照不同階段可以分為幾類

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  • 回收三極管、使用三極管時(shí)的注意事項(xiàng):用三極管時(shí)需要考慮以下問(wèn)題

    回收三極管、三極管放大原理:1、**區(qū)向基區(qū)**電子:電源Ub經(jīng)過(guò)電阻Rb加在**結(jié)上,**結(jié)正偏,**區(qū)的多數(shù)載流子(自由電子)不斷地越過(guò)**結(jié)進(jìn)入基區(qū),形成**較電流Ie。同時(shí)基區(qū)多數(shù)載流子也向**區(qū)擴(kuò)散,但由于多數(shù)載流子濃度遠(yuǎn)****區(qū)載流子濃度,可以不考慮這個(gè)電流,因此可以認(rèn)為**結(jié)主要是電子流;2、基區(qū)中電子的擴(kuò)散與復(fù)合:電子進(jìn)入基區(qū)后,先在靠近**結(jié)的附近密集,漸漸形成電子濃度差,在濃

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