Amptek硅漂移探測(cè)器FAST SDD

時(shí)間：2023-01-28作者：天津西納智能科技有限公司瀏覽：118

產(chǎn)品名稱(chēng)：Amptek硅漂移探測(cè)器FAST SDD

產(chǎn)品型號(hào)：FAST SDD

產(chǎn)品介紹

 

Amptek將硅片制造引入內(nèi)部，并改進(jìn)了工藝。其結(jié)果是探測(cè)器具有較低的噪聲、較低的泄漏電流、較好的電荷收集以及探測(cè)器之間的均勻性。這使其成為性能較好的硅漂移探測(cè)器。

FAST SDD代表Amptek高性能的硅漂移檢測(cè)器（SDD），能夠在保持分辨率的同時(shí)，計(jì)數(shù)率**過(guò)1000000 CPS（每秒計(jì)數(shù)）。FAST SDD還可與C系列（Si3N4）低能窗一起使用，用于軟x射線分析。

與傳統(tǒng)SDD不同，F(xiàn)AST SDD在密封的TO-8封裝內(nèi)使用結(jié)柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管（JFET）和外部前置放大器，在TO-8封裝內(nèi)部使用互補(bǔ)的金屬氧化物半導(dǎo)體（CMOS）前置放大器，并用金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）代替JFET。這降低了電容，提供了較低的串聯(lián)噪聲，并在較短的峰值時(shí)間內(nèi)提高了分辨率。FAST SDD使用相同的檢測(cè)器，但前置放大器在短峰值時(shí)間內(nèi)提供較低的噪聲。改進(jìn)的（較低的）分辨率能夠隔離/分離具有接近能量值的熒光X射線，否則峰值將重疊，從而允許用戶(hù)較好地識(shí)別其樣品中的所有元素。峰值時(shí)間短也會(huì)提高計(jì)數(shù)率；更多的計(jì)數(shù)提供較好的統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)。

 

性能特點(diǎn)

 

l 25 mm²的活動(dòng)面積校準(zhǔn)為17 mm²

l 也可提供70 mm²準(zhǔn)直至50 mm²

l 5.9 keV時(shí)的122 eV FWHM分辨率

l 計(jì)數(shù)率>1000000 CPS

l 高峰值與背景比–26000/1

l 前置放大器輸出上升時(shí)間<35 ns

l 窗口：Be（0.5密耳）12.5μm，或C系列（Si3N4）

l 抗輻射

l 探測(cè)器厚度500μm

l TO-8包裝

l 冷卻ΔT>85 K

l 多層準(zhǔn)直器

 

技術(shù)參數(shù)

 

檢測(cè)器類(lèi)型：帶CMOS前置放大器的硅漂移檢測(cè)器（SDD）

探測(cè)器尺寸：25 mm^2-校準(zhǔn)至17 mm²

也可提供70mm²-準(zhǔn)直至50mm²

硅厚度：500μm或1000um可用

準(zhǔn)直器內(nèi)部：多層準(zhǔn)直器（ML）

4μs峰值時(shí)間下5.9 keV（⁵⁵Fe）：122-129 eV FWHM時(shí)的能量分辨率（保證）

峰值與背景：20000:1（計(jì)數(shù)比從5.9 keV到1 keV）（典型）

探測(cè)器窗口選項(xiàng)：（Be）：0.5密耳（12.5μm）或0.3密耳（8μm）

C系列（Si3N4）低能耗窗戶(hù)

電荷敏感型前置放大器：CMOS

增益穩(wěn)定性：<20 ppm/°C（典型）

探測(cè)器模塊：TO-8封裝（0.640英寸高，包括銷(xiāo)，0.600英寸直徑）

XR100盒3.00 x 1.75 x 1.13英寸（7.6 x 4.4 x 2.9厘米）

X-123箱3.94 x 2.67 x 1.0英寸（10.0 x 6.78 x 2.54厘米）

原始設(shè)備制造商：配置各不相同

重量

探測(cè)器模塊：0.14箱（4.1克）

XR100盒：4.4盎司（125克）

X-123箱：6.3盎司（180克）

原始設(shè)備制造商：配置各不相同

總功率：<2瓦

設(shè)備壽命：通常為5至10年，具體取決于使用情況

操作條件：-35°C至+80°C

在干燥環(huán)境中長(zhǎng)期儲(chǔ)存10年以上

典型儲(chǔ)存和運(yùn)輸：-40°C至+85°C，濕度10至，不凝結(jié)

 

產(chǎn)品應(yīng)用

 

**快臺(tái)式和手持式XRF分析儀

作為EDS系統(tǒng)的一部分，在SEM中掃描/繪制樣品

在線過(guò)程控制

X射線分選機(jī)

原始設(shè)備制造商


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