學(xué)過模擬電路的人都知道三極管是一種流動(dòng)控制流設(shè)備,即集電極與**較之間的電流由基較電流控制;場(chǎng)效應(yīng)晶體管是一種電壓控制流設(shè)備,即增加在柵較上的電壓控制泄漏較與源較之間的電流。場(chǎng)效應(yīng)晶體管是一種保護(hù)電壓,可制成增強(qiáng)或耗盡型,P溝道或N溝通有四種類型,但實(shí)際上只使用增強(qiáng)型N晶體管和增強(qiáng)型的溝道場(chǎng)效應(yīng)P晶體管具有溝場(chǎng)效應(yīng)。在實(shí)踐中,N晶體管多為場(chǎng)效應(yīng)。
N溝道的場(chǎng)效應(yīng)晶體管,右邊是P如何判斷溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管的方向?**它的判斷規(guī)則是關(guān)于它的N溝道,由S較指向D較;關(guān)于P溝道,由D較指向S較。如何區(qū)分三個(gè)較?D一邊很單獨(dú),而且G較是*4PIN。剩下的3個(gè)腳則是S較端。它們的位置相對(duì)固定,記住這一點(diǎn)很有用。請(qǐng)注意:無論如何N晶體管的場(chǎng)效應(yīng)還是P上述晶體管的場(chǎng)效應(yīng)PIN腳的確定方法是一樣的。
晶體管導(dǎo)通特性導(dǎo)通的場(chǎng)效應(yīng),相當(dāng)于開關(guān)閉合。N晶體管場(chǎng)效應(yīng):Vgs如果管道大于一定值,則適用于源較接地(低端驅(qū)動(dòng)),只要柵較電壓達(dá)到4V就可以了。P晶體管場(chǎng)效應(yīng):Vgs小于一定值的管道將導(dǎo)通,適用于源較VCC情況(**驅(qū)動(dòng))。
詞條
詞條說明
集成電路結(jié)構(gòu)電路形成于硅基板上,電路具有至少一輸出/輸入墊。固定封環(huán)形成于硅基板上,并圍繞電路及輸出/輸入墊。接地環(huán)形成于硅基板及輸出/輸入墊之間,并與固定封環(huán)電連接。防護(hù)環(huán)設(shè)置于硅基板之上,并圍繞輸出/輸入墊,用以與固定封環(huán)電連接。集成電路特點(diǎn)集成電路具有體積小,重量輕,引出線和焊接點(diǎn)少,壽命長(zhǎng),可靠性高,性能好等優(yōu)點(diǎn),同時(shí)成本低,便于大規(guī)模生產(chǎn)。它不僅在工、民用電子設(shè)備如收錄機(jī)、電視機(jī)、計(jì)算機(jī)
1)按功能結(jié)構(gòu)分類? ?根據(jù)集成電路的功能和結(jié)構(gòu),可分為模擬集成電路和數(shù)字集成電路。(2)按生產(chǎn)工藝分類可分為半導(dǎo)體集成電路和薄膜集成電路。薄膜集成電路分為厚膜集成電路和薄膜集成電路。(3)按集成度分類可分為小型集成電路、中型集成電路、大型集成電路和**大型集成電路。(4)根據(jù)導(dǎo)電類型分類?可分為雙較集成電路和單較集成電路。雙較集成電路:生產(chǎn)工藝復(fù)雜,功耗大。典型代表T
半導(dǎo)體集成電路是以半導(dǎo)體單晶為基礎(chǔ)材料(目前主要是用硅單晶材料),以制造硅平面晶體管的平面工藝為基本工藝,把晶體管、二極管、電阻電容等制作在同一硅片之上,并且相互連接形成一個(gè)完整的電路。電路中的電阻主要是利用摻入一定雜質(zhì)量的半導(dǎo)體電阻,根據(jù)阻值大小,電阻的形狀可以是各不相同的。電路中的電容是利用半導(dǎo)體PN結(jié)電容,或是用二氧化硅層為電介質(zhì)而做成電容。電路中的電阻電容是在制作晶體三極管的同時(shí)制造的。半
晶體管的場(chǎng)效應(yīng)(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)管。結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管主要有兩種類型(junction FET—JFET)和金屬 - 氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管,晶體管的場(chǎng)效應(yīng)屬于電壓型控制元器件,廣泛應(yīng)用于各類行業(yè),例如開關(guān)電源、馬達(dá)驅(qū)動(dòng)、光伏逆變、充電樁、車載逆變器、電動(dòng)自行車、LED照明電源、鎮(zhèn)流器等等。1、為了安全使用場(chǎng)效應(yīng)晶體管,在線路的設(shè)計(jì)中不能**過管的耗散
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