高純鉻靶的目標(biāo)雜質(zhì)控制

時(shí)間：2021-04-16作者：東莞市鼎偉新材料有限公司瀏覽：1332

高純鉻靶的目標(biāo)雜質(zhì)控制：如果靶中的夾雜物數(shù)量過(guò)多，則在濺射過(guò)程中可能在晶片上形成顆粒，從而導(dǎo)致互連線短路或斷開(kāi)，這將嚴(yán)重影響膜的性能。高純鉻靶中的大多數(shù)夾雜物是在冶煉和鑄造過(guò)程中形成的，主要由氧化物組成，但也包括氮化物，碳化物，氫化物，硫化物，硅化物等，因此應(yīng)在冶煉和鑄造過(guò)程中使用。坩堝，內(nèi)部 流道，鑄模等由還原性材料制成，在澆鑄之前，應(yīng)將熔體表面的氧化物和其他爐渣徹底清除。 通常，它們?cè)谡婵栈驘o(wú)氧環(huán)境中熔融并澆鑄。鉻靶批發(fā)、鉻靶價(jià)格在市場(chǎng)也是不一樣的。






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