關(guān)于STM32位MCU外掛SRAM的方案選擇

    1. Async Fast SRAM							
    Density	Org.	Part Number	Vdd(V)	Access Time	Package	Availability	
    1M bit	64Kx16	S6R1016W1A	1.65~3.6	8/10/12/15ns	44TSOP2	Now	
    		S6R1016V1A	3.3	8/10ns	48FBGA	Now	
    		S6R1016C1A	5	10ns		Now	
    	128Kx8	S6R1008W1A	1.65~3.6	8/10/12/15ns	32sTSOP1	Now	
    		S6R1008V1A	3.3	8/10ns	36FBGA	Now	
    		S6R1008C1A	5	10ns		Now	
    2M bit	128Kx16	S6R2016W1A	1.65~3.6	8/10/12/15ns	44TSOP2	Now	
    		S6R2016V1A	3.3	8/10ns	48FBGA	Now	
    		S6R2016C1A	5	10ns		Now	
    	256Kx8	S6R2008W1A	1.65~3.6	8/10/12/15ns	44TSOP2	Now	
    		S6R2008V1A	3.3	8/10ns	36FBGA	Now	
    		S6R2008C1A	5	10ns		Now	
    4M bit	256Kx16	S6R4016W1A	1.65~3.6	8/10/12/15ns	44TSOP2	Now	
    		S6R4016V1A	3.3	8/10ns	48FBGA	Now	
    		S6R4016C1A	5	10ns		Now	
    	512Kx8	S6R4008W1A	1.65~3.6	8/10/12/15ns	44TSOP2	Now	
    		S6R4008V1A	3.3	8/10ns	36FBGA	Now	
    		S6R4008C1A	5	10ns		Now	
    8M bit	512Kx16	S6R8016W1A	1.65~3.6	8/10/12/15ns	44TSOP2	Now	
    		S6R8016C1A	5	10ns	48FBGA	Now	
    	1Mx8	S6R8008W1A	1.65~3.6	8/10/12/15ns	44TSOP2	Now	
    		S6R8008C1A	5	10ns	48FBGA	Now	
    16M bit	1Mx16	S6R1616W1M	1.65~3.6	8/10/12/15ns	48TSOP1	Now	
    		S6R1616V1M	3.3	8/10ns	48FBGA	Now	
    		S6R1616C1M	5	10ns		Now	
    	2Mx8	S6R1608W1M	1.65~3.6	8/10/12/15ns	44TSOP2	Now	
    		S6R1608V1M	3.3	8/10ns	48FBGA	Now	
    		S6R1608C1M	5	10ns		Now	
    32M bit	2Mx16	S6R3216W1M	1.65~3.6	8/10/12/15ns	48FBGA	Now	
    	4Mx8	S6R3208W1M	1.65~3.6	8/10/12/15ns		Now	
    							
    2. ASYNC Low Power SRAM							
    Density	Org.	Part Number	Vdd(V)	C/S	Speed -tAA(ns)	Package	Availability
    				Option			
    1M bit	64Kx16	S6L1016W1M	2.3~3.6	1 C/S	45/55/70ns	44TSOP2, 48FBGA	Now
    		S6L1016C1M	4.5~5.5	1 C/S		44TSOP2, 48FBGA	Now
    	128Kx8	S6L1008W2M	2.3~3.6	2 C/S	45/55/70ns	32sTSOP1, 2TSOP1, 32SOP	Now
    		S6L1008C2M	4.5~5.5	2 C/S			Now
    2M bit	128Kx16	S6L2016W1M	2.3~3.6	1 C/S	45/55/70ns	44TSOP2,48FBGA	Now
    		S6L2016W2M	2.3~3.6	2 C/S		48FBGA	Now
    		S6L2016C1M	4.5~5.5	1 C/S		44TSOP2	Now
    	256Kx8	S6L2008W1M	2.3~3.6	1 C/S	45/55/70ns	36FBGA	Now
    		S6L2008W2M	2.3~3.6	2 C/S		32sTSOP1, 32TSOP1, 32TSOP2, 32SOP	Now
    		S6L2008C2M	4.5~5.5	2 C/S			Now
    4M bit	256Kx16	S6L4016W1M	2.3~3.6	1 C/S	45/55/70ns	44TSOP2, 48FBGA	Now
    		S6L4016W2M	2.3~3.6	2 C/S		44TSOP2, 48FBGA	Now
    		S6L4016C1M	4.5~5.5	1 C/S		44TSOP2	Now
    		S6L4016C2M	4.5~5.5	2 C/S		44TSOP2	Now
    	512Kx8	S6L4008W1M	2.3~3.6	1 C/S	45/55/70ns	32sTSOP1, 32TSOP1, 32TSOP2, 32SOP	Now
    		S6L4008C1M	4.5~5.5	1 C/S			Now
    8M bit	512Kx16	S6L8016W1M	2.3~3.6	1 C/S	45/55/70ns	44TSOP2, 48FBGA	Now
    		S6L8016W2M	2.3~3.6	2 C/S		44TSOP2, 48FBGA	Now
    		S6L8016C1M	4.5~5.5	1 C/S		44TSOP2, 48FBGA	Now
    		S6L8016C2M	4.5~5.5	2 C/S		48FBGA	Now
    	1Mx8	S6L8008W2M	2.3~3.6	2 C/S	45/55/70ns	44TSOP2, 48FBGA	Now
    		S6L8008C2M	4.5~5.5	2 C/S		44TSOP2, 48FBGA	Now
    

    深圳市**芯科技有限公司專注于Netsol,SRAM,加密芯片等

  • 詞條

    詞條說明

  • 可兼容atmel加密芯片的其他選擇

    加密芯片介紹 會內(nèi)置**的加密化功能的AES256,提供2K Bytes的EEPROM用戶區(qū)域的高性能保安存儲裝置. EEPROM分為8個(gè)用戶區(qū)域, 此8個(gè)用戶EEPROM區(qū)域里保存單/雙數(shù)的數(shù)據(jù)時(shí), 個(gè)個(gè)區(qū)域可以應(yīng)用不同的加密功能。組成區(qū)域里為了用戶讀寫EEPROM區(qū)域密碼和已包含使用在 加密IC的AES256秘密KEY. 通過動態(tài),對稱,相互認(rèn)證,數(shù)據(jù)加密解密,提供把使

  • 關(guān)于STM32位MCU外掛SRAM的方案選擇

    1. Async Fast SRAM Density Org. Part Number Vdd(V) Access Time Package Availability 1M bit 64Kx16 S6R1016W1A 1.65~3.6 8/10/12/15ns 44TSOP2 Now S6R1016V1A 3.3 8/10ns 48FBGA Now S6R1016C1A 5 10ns Now 12

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