現(xiàn)貨供應(yīng)IXYS二極管模塊MEK250-12DA

時(shí)間：2020-02-20作者：蘇州徳昇锘電子科技有限公司瀏覽：8

MEA250-12DA
MEK250-12DA
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MCD132-08IO1
MCD132-12IO1
MCD132-14IO1
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MCNA150PD2200YB
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MCD162-08IO1
MCD162-12IO1
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MCNA180PD2200YB
MDD142-08N1
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MDD142-14N1
MDD142-16N1
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MDMA180P1600YD
MDNA180P2200YD
MDD172-08N1
蘇州徳昇锘科技有限公司是一家從事電力半導(dǎo)體器件和電子元器件的專業(yè)代理及分銷(xiāo)商，產(chǎn)品廣泛應(yīng)用到民用，工業(yè)，通信，等電子產(chǎn)品領(lǐng)域中。專注為電焊機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、逆變電源、電力電源、不間斷電源、通信電源等能量控制與變換產(chǎn)品提供**的半導(dǎo)體功率器件。我們擁有穩(wěn)固的供貨渠道，**的質(zhì)量保證，競(jìng)爭(zhēng)力強(qiáng)的價(jià)格，快捷的交貨和完善周到的服務(wù)。
   
   IGBT模塊、IPM模塊、PIM模塊、二極管、三極管、可控硅、整流橋、IGBT單管、IGBT電路驅(qū)動(dòng)板、GTR達(dá)林頓模塊、快恢復(fù)二極管、肖特基二極管、熔斷器、IC集成電路、快速熔斷器等。

   代理經(jīng)營(yíng)**著名公司生產(chǎn)的電力電子器件，主要品牌括:
Infineon英飛凌、EUPEC歐派克、SANREX三社、IXYS艾賽斯、SEMIKRON西門(mén)康、FUJI富士、MISUBISHI三菱、新電元、東芝、IR、西門(mén)子、英達(dá)、三肯、三洋、APT、ST、美高森美、巴斯曼BUSSMANN、法國(guó)羅蘭等。


蘇州徳昇锘電子科技有限公司專注于可控硅,二極管,IGBT模塊等, 歡迎致電 15962682709

• 詞條

  詞條說(shuō)明

• 二極管

  二極管是一種半導(dǎo)體元件，由P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體組成。它具有單向?qū)щ娦裕粗挥性谡螂妷鹤饔孟虏拍軐?dǎo)通電流，而在反向電壓下則會(huì)阻止電流通過(guò)。因此，二極管常被用作整流器、穩(wěn)壓器、開(kāi)關(guān)等電子電路中的基本元件。整流二極管是一種半導(dǎo)體器件，由P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體組成，具有單向?qū)щ娞匦?。在正向電壓作用下，整流二極管可以導(dǎo)通電流，使得電流從正極流向負(fù)極；而在反向電壓作用下，整流二極管會(huì)截止電流，電流無(wú)法從負(fù)

• 現(xiàn)貨直銷(xiāo)IXYS二極管模塊MDD312-22N1

  以下產(chǎn)品均有現(xiàn)貨 MEA250-12DA MEK250-12DA MEE250-12DA MCD132-08IO1 MCD132-12IO1 MCD132-14IO1 MCD132-16IO1 MCD132-18IO1 MCNA150PD2200YB MCD161-20IO1 MCD161-22IO1 MCD162-08IO1 MCD162-12IO1 MCD162-14IO1 MCD162-16

• 現(xiàn)貨供應(yīng)IXYS二極管模塊MEA250-12DA

  MEA250-12DA MEK250-12DA MEE250-12DA MCD132-08IO1 MCD132-12IO1 MCD132-14IO1 MCD132-16IO1 MCD132-18IO1 MCNA150PD2200YB MCD161-20IO1 MCD161-22IO1 MCD162-08IO1 MCD162-12IO1 MCD162-14IO1 MCD162-16IO1 MCD16

• IGBT模塊的優(yōu)點(diǎn)

  IGBT模塊是一種集成了多個(gè)IGBT芯片、驅(qū)動(dòng)電路和保護(hù)電路的模塊化器件。相比于單個(gè)IGBT芯片，IGBT模塊具有以下優(yōu)點(diǎn)：高可靠性：IGBT模塊采用多個(gè)IGBT芯片并聯(lián)組成，可以避**個(gè)芯片失效對(duì)整個(gè)電路的影響，提高了電路的可靠性和穩(wěn)定性。低開(kāi)關(guān)損耗：IGBT模塊的驅(qū)動(dòng)電路采用專門(mén)的驅(qū)動(dòng)芯片，可以實(shí)現(xiàn)快速、精確的控制IGBT芯片的開(kāi)關(guān)，從而降低開(kāi)關(guān)損耗。高功率密度：由于IGBT模塊采用了多個(gè)芯片