打臉！臺積電10nm相當(dāng)于英特爾12nm？

時間：2016-07-22作者：深圳芯易科技有限公司瀏覽：71

*得蘋果A10訂單的臺積電正歡呼雀躍的時候，有一個巴掌重重地打了過來：此前宣布的10nmFinFET工藝，居然只相等于英特爾的十二納米；那么，事實到底是怎么樣的呢？
前不久的股東大會上，臺積電CEO劉德音被美國分析師Brett Simpson（布雷特·辛普森）的一個問題難住了：Brett Simpson竟然問臺積電7nmFinFET工藝比起英特爾即將量產(chǎn)的10nm工藝，在性能特征上的差距。
“你得去問我們的顧客，我無法為他們回答?！憋@然，劉德音有點尷尬。如果是幾年前，這并不是問題。根據(jù)摩爾定律，7nm工藝比10nm工藝制出的電晶體縮小一半，效能、耗電等各項指標(biāo)都大幅度追趕；可以說，7nm工藝比10nm工藝良好一個世代。
而這位分析師的問題，是**追趕了半導(dǎo)體業(yè)界遵循30年的摩爾定律范疇，被稱為困擾業(yè)界多年的半導(dǎo)體工藝“魔術(shù)數(shù)字”問題。業(yè)內(nèi)人士認為，Brett Simpson在暗示，臺積電還未量產(chǎn)的7nm和英特爾10nm工藝，屬于同一世代的技術(shù)，也就是說，臺積電10nm相當(dāng)于英特爾12nm。
對于Brett Simpson的說法，不少臺積電的客戶都表示認同。臺積電大客戶、世界較大IC設(shè)計公司高通**技術(shù)官Matt Grob (葛羅布)指出，*吃A10處理器的16納米工藝，是目前臺積電量產(chǎn)的較**工藝，僅相當(dāng)于英特爾的20納米工藝。
Matt Grob (葛羅布)表示，半導(dǎo)體行業(yè)中，晶圓代工廠商的工藝數(shù)字都經(jīng)過不同程度的“美化”，包括臺積電、三星以及格羅方德，他們的工藝數(shù)字都經(jīng)過不同程度的“優(yōu)化”。 結(jié)果是讓業(yè)界“非常困擾（芯易網(wǎng)注）。
“即使是高通內(nèi)部的會議簡報，都不能直接套用晶圓代工廠公告的技術(shù)數(shù)字，而必須經(jīng)過換算。我們要問清楚，這個硅晶圓上到底可以放多少個邏輯電路？”Matt Grob稱。
一位*業(yè)者透露，聯(lián)發(fā)科內(nèi)部存在一套關(guān)于制程工藝的換算方式，從這個方式來看：臺積電的16nm和英特爾的20nm相等，10nm和英特爾的12nm相仿。同理，未來臺積電的7nm，可能會比英特爾要好一些。
臺積電早期采用的16nm FinFET工藝，原計劃是跟英特爾一樣成為20nm FinFET。因為其16nm工藝的電晶體較小線寬(half-pitch)，與**代量產(chǎn)的20nm 電晶體工藝差不多，只不過是換上全新的FinFET電晶體。
可以說，整個半導(dǎo)體行業(yè)的晶圓代工廠基本是跟著因特爾的腳步。引發(fā)現(xiàn)在這種一個工藝，各自表述“混亂”場面的始作俑者是三星，時間是在之前的2、3年前，當(dāng)時整個產(chǎn)業(yè)導(dǎo)入全新的鰭式場效應(yīng)晶體管（FinFET）。
一位前臺積高階主管透露，同樣的（20nm）工藝，三星已搶先命名為“14納米”，如果臺積電還用20nm命名，肯定很吃虧。“我們至少有點良心，不敢像三星那樣隨便命名”這位前臺積高層無奈稱。
命名習(xí)慣被打亂之后，讓外行人很難搞懂，英特爾、臺積電、三星這半導(dǎo)體三雄的技術(shù)，哪個較**一點？例如，英特爾原先預(yù)計在*三季度發(fā)布的10納米工藝處理器，卻在不久前宣布延后至明年。因此，量產(chǎn)時間也將落后于臺積電量產(chǎn)的“10nm”工藝。
當(dāng)臺積電發(fā)布10nm FinFET工藝時，業(yè)內(nèi)人士大都明白，彼“10nm”不等于此“10nm”，目前，臺積電在技術(shù)上仍落后英特爾（至少）一個技術(shù)世代。不過，臺積電正在縮小和英特爾的技術(shù)差距，“我們認為這些差距正在縮小，而且還會持續(xù)縮小?！备咄?*營運官戴瑞克說道。


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