功率放大器模塊在**微晶合金磁特性測量研究中的應(yīng)用

    客戶需求:對**微晶合金磁特性測量中的波形發(fā)生與控制問題進(jìn)行研究,實(shí)驗(yàn)系統(tǒng)有嚴(yán)格的體積要求,上位機(jī)可外置,測試系統(tǒng)需集成于機(jī)箱,機(jī)箱尺寸:1900mm×500mm×600mm。

    解決方案:功率放大器模塊采用安泰ATA-M240高壓放大器模塊,該放大模塊,**寬的頻率范圍30kHz~1.5MHz,輸出電壓400Vpp,操作簡單,只需DC18-28V的供電電壓即可工作。

    實(shí)驗(yàn)名稱:**微晶合金磁特性測量中的波形發(fā)生與控制問題進(jìn)行研究

    實(shí)驗(yàn)設(shè)備:計(jì)算機(jī)、數(shù)據(jù)采集卡、ATA-M240高壓放大器模塊、ATA-5220前置放大器、電流探頭、保護(hù)電阻、打印機(jī)等。

    實(shí)驗(yàn)過程:

    圖:**微晶合金磁特性測試集成系統(tǒng)圖

    圖5.1:一維磁特性測量系統(tǒng)結(jié)構(gòu)圖

    由圖5.1可知,計(jì)算機(jī)為整個(gè)測量系統(tǒng)的**。在對**微晶合金樣件進(jìn)行一維磁特性測量時(shí),計(jì)算機(jī)通過運(yùn)行LabVIEW程序并結(jié)合數(shù)據(jù)采集卡產(chǎn)生激磁電壓信號隨后該信號經(jīng)功率放大器模塊放大后加載在樣件的初級繞組上;次級繞組上的感應(yīng)電壓信號和流經(jīng)初級繞組的激磁電流信號要先分別經(jīng)過前置放大器的放大作用,隨后由數(shù)據(jù)采集卡傳遞給計(jì)算機(jī),最后計(jì)算機(jī)對采集到的數(shù)據(jù)進(jìn)行相關(guān)的計(jì)算處理。**微晶合金環(huán)形樣件實(shí)物圖如圖5.2所示。該樣件的初級繞組線圈匝數(shù)M為4,次級繞組線圈數(shù)N為4磁環(huán)的橫截面積S為240mm2,平均磁路長度1為163.36mm。

    圖5.2:**微晶合金樣件實(shí)物圖

    **微晶合金環(huán)形樣件的磁通密度B、磁場強(qiáng)度H可由式(5.1)求得:

    式中:

    Ni、N2一樣件初級繞組、次級繞組線圈匝數(shù);

    U2一次級繞組兩端的感應(yīng)電壓,單位為伏特(V);

    i一初級繞組中流過的激磁電流,單位為安培(A);

    S一環(huán)形樣件的橫截面積,單位為平方米(m2);

    l一環(huán)形樣件的平均磁路長度,單位為米(m)。

    結(jié)合式(5.1)在LabVIEW中編譯磁通密度B、磁場強(qiáng)度H的計(jì)算程序框圖,如圖5.3所示。

    圖5.3:二維磁特性測量系統(tǒng)

    二維磁特性測量系統(tǒng):

    對**微晶合金進(jìn)行二維磁特性測量時(shí),待測樣件的二維磁化問題相比于一維時(shí)較為復(fù)雜,因此設(shè)計(jì)一個(gè)性能良好的激磁裝置是減小測量誤差、提高精度的一個(gè)必要條件。本課題組采用的二維激磁裝置為雙C型立體結(jié)構(gòu),如圖5.4所示。在該裝置中采用**微晶合金材料制成的兩個(gè)C型磁驅(qū)在空間中正交固定,磁軛正中的激磁繞組由利茲線繞制而成。同時(shí)此激磁裝置的磁軛與磁較的連接處未采用搭接方式,直接避免了磁動(dòng)勢降低的現(xiàn)象出現(xiàn),提高了勵(lì)磁能力并降低了激磁損耗。

    圖5.4:雙C型立體激磁裝置結(jié)構(gòu)

    為了產(chǎn)生較好的激磁效果,使樣片能夠被均勻磁化,C型磁軛上的磁較采用了聚磁能力較強(qiáng)的楔形結(jié)構(gòu),如圖5.5所示。其中,磁較的尺寸參數(shù)分別為:X1=10.2mm,X2=15.9mm,X3=3.1mm。

    圖5.5:磁軛與磁較結(jié)構(gòu)圖

    二維磁特性測量系統(tǒng)的**同樣是計(jì)算機(jī)。在對樣片進(jìn)行二維磁特性測量時(shí),計(jì)算機(jī)通過運(yùn)行LabVIEW程序并結(jié)合數(shù)據(jù)采集卡產(chǎn)生兩路激磁電壓信號,隨后兩路信號分別經(jīng)功率放大器放大后加載在激磁裝置的兩個(gè)激磁繞組上。同時(shí),為產(chǎn)生圓形旋轉(zhuǎn)磁場,需調(diào)節(jié)激磁電壓使得x、y兩路激磁電流的幅值相等且相位差為90;被測樣片上x、y兩路的測量信號要通過B-H傳感器測得,并經(jīng)過前置放大器的放大作用后通過數(shù)據(jù)采集卡傳遞給計(jì)算機(jī),最后計(jì)算機(jī)對采集到的數(shù)據(jù)進(jìn)行相關(guān)的計(jì)算處理。**微晶合金方形樣片每個(gè)方向的磁通密度B、磁場強(qiáng)度H可由式(5.2)求得:

    式中:

    UB一B傳感器的感應(yīng)電壓,單位為伏特(V);

    Uu一H傳感器的感應(yīng)電壓,單位為伏特(V);

    kB-B傳感器中探針的傳感系數(shù),經(jīng)校準(zhǔn)得kB=2.67x10m-2

    kH一H傳感器中線圈的傳感系數(shù),經(jīng)校準(zhǔn)得kB-1.993x10-3m2

    uo一真空磁導(dǎo)率,u04元x10-7T·A/m。

    結(jié)合式(5.2)在LabVIEW中編譯磁通密度B、磁場強(qiáng)度H的計(jì)算程序框圖,如圖5.9所示。

    圖5.9:二維磁特性測量中B、H計(jì)算程序框圖

    ATA-M240高壓放大器模塊在本實(shí)驗(yàn)中的作用:

    該模塊由電源模塊,放大器模塊,輸出變壓器模塊,匹配電感器模塊四部分組成,可直接放大信號源輸出電壓,驅(qū)動(dòng)**微晶合金環(huán)形樣件,不需要對信號做二次處理;

    外觀尺寸小,大大節(jié)省了機(jī)箱內(nèi)部空間,便于和信號源模塊,前置放大器、信號采集模塊等,集成于機(jī)箱內(nèi);

    供電電壓為DC18-28V,操作較加簡單,同時(shí)大大減少了集成系統(tǒng)的成本。

    安泰ATA-M240高壓放大器模塊:

    圖:ATA-M240高壓放大器模塊指標(biāo)參數(shù)

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